掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010011151.2

申请日：

2020-01-06

公开(公告)号：

CN113075856B

公开(公告)日：

2024-06-18

发明(设计)人：

王占雨舒强覃柳莎张迎春

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F1/38

IPC分类号：

G03F1/76

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	授权	授权

共 50 条

[1]

掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P].

王占雨 ;

舒强 ;

覃柳莎 ;

张迎春 .

中国专利 :CN113075856A ,2021-07-06

[2]

半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图 [P].

金吉松 .

中国专利 :CN115602699A ,2023-01-13

[3]

半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图 [P].

金吉松 .

中国专利 :CN115566019A ,2023-01-03

[4]

掩膜版图形的形成方法及掩膜版 [P].

朱文焘 .

中国专利 :CN119045275A ,2024-11-29

[5]

掩膜版版图以及形成半导体结构的方法 [P].

余云初 ;

沈忆华 ;

潘见 ;

傅丰华 .

中国专利 :CN106610562B ,2017-05-03

[6]

掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法 [P].

李亮 ;

杜杳隽 ;

倪昶 .

中国专利 :CN112987485A ,2021-06-18

[7]

掩膜版版图及半导体结构的形成方法 [P].

刘括 .

中国专利 :CN118778346A ,2024-10-15

[8]

半导体结构、形成方法以及掩膜版 [P].

王楠 .

中国专利 :CN114068558B ,2025-12-09

[9]

半导体结构、形成方法以及掩膜版 [P].

王楠 .

中国专利 :CN114068558A ,2022-02-18

[10]

掩膜版图形、半导体结构及其形成方法 [P].

舒强 ;

张迎春 ;

覃柳莎 .

中国专利 :CN113078048B ,2025-05-23

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