掩膜版版图以及形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510702113.0

申请日：

2015-10-26

公开(公告)号：

CN106610562B

公开(公告)日：

2017-05-03

发明(设计)人：

余云初沈忆华潘见傅丰华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F100

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-07	授权	授权
2017-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101722959121 IPC(主分类):G03F 1/00 专利申请号:2015107021130 申请日:20151026
2017-05-03	公开	公开

共 50 条

[1]

掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P].

王占雨 ;

舒强 ;

覃柳莎 ;

张迎春 .

中国专利 :CN113075856B ,2024-06-18

[2]

掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P].

王占雨 ;

舒强 ;

覃柳莎 ;

张迎春 .

中国专利 :CN113075856A ,2021-07-06

[3]

半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图 [P].

金吉松 .

中国专利 :CN115602699A ,2023-01-13

[4]

半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图 [P].

金吉松 .

中国专利 :CN115566019A ,2023-01-03

[5]

半导体结构及掩膜版版图 [P].

江慧 ;

王志高 .

中国专利 :CN118742197A ,2024-10-01

[6]

掩膜版版图和半导体结构 [P].

杨青 .

中国专利 :CN113589638B ,2024-05-24

[7]

掩膜版版图和半导体结构 [P].

杨青 .

中国专利 :CN113589638A ,2021-11-02

[8]

半导体结构及其形成方法、掩膜版图 [P].

米红星 .

中国专利 :CN121013374A ,2025-11-25

[9]

掩膜版版图、半导体结构和半导体结构的形成方法 [P].

杜杳隽 ;

杨青 .

中国专利 :CN113496879B ,2024-12-17

[10]

掩膜版版图、半导体结构和半导体结构的形成方法 [P].

杜杳隽 ;

杨青 .

中国专利 :CN113496879A ,2021-10-12

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