掩膜版版图、半导体结构和半导体结构的形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010252555.0
申请日
2020-04-01
公开(公告)号
CN113496879A
公开(公告)日
2021-10-12
发明(设计)人
杜杳隽 杨青
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21033
IPC分类号
H01L23528
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
徐文欣
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
掩膜版版图、半导体结构和半导体结构的形成方法 [P]. 
杜杳隽 ;
杨青 .
中国专利 :CN113496879B ,2024-12-17
[2]
掩膜版版图和半导体结构 [P]. 
杨青 .
中国专利 :CN113589638B ,2024-05-24
[3]
掩膜版版图和半导体结构 [P]. 
杨青 .
中国专利 :CN113589638A ,2021-11-02
[4]
掩膜版版图及半导体结构的形成方法 [P]. 
刘括 .
中国专利 :CN118778346A ,2024-10-15
[5]
半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图 [P]. 
金吉松 .
中国专利 :CN115602699A ,2023-01-13
[6]
半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图 [P]. 
金吉松 .
中国专利 :CN115566019A ,2023-01-03
[7]
半导体结构及其形成方法、及掩膜版版图 [P]. 
吴轶超 .
中国专利 :CN118522723A ,2024-08-20
[8]
掩膜版版图以及形成半导体结构的方法 [P]. 
余云初 ;
沈忆华 ;
潘见 ;
傅丰华 .
中国专利 :CN106610562B ,2017-05-03
[9]
掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P]. 
王占雨 ;
舒强 ;
覃柳莎 ;
张迎春 .
中国专利 :CN113075856B ,2024-06-18
[10]
掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P]. 
王占雨 ;
舒强 ;
覃柳莎 ;
张迎春 .
中国专利 :CN113075856A ,2021-07-06