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掩膜版版图、半导体结构和半导体结构的形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010252555.0
申请日
:
2020-04-01
公开(公告)号
:
CN113496879A
公开(公告)日
:
2021-10-12
发明(设计)人
:
杜杳隽
杨青
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L21033
IPC分类号
:
H01L23528
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
徐文欣
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-10-29
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/033 申请日:20200401
2021-10-12
公开
公开
共 50 条
[1]
掩膜版版图、半导体结构和半导体结构的形成方法
[P].
杜杳隽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
杜杳隽
;
杨青
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
杨青
.
中国专利
:CN113496879B
,2024-12-17
[2]
掩膜版版图和半导体结构
[P].
杨青
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
杨青
.
中国专利
:CN113589638B
,2024-05-24
[3]
掩膜版版图和半导体结构
[P].
杨青
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨青
.
中国专利
:CN113589638A
,2021-11-02
[4]
掩膜版版图及半导体结构的形成方法
[P].
刘括
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
刘括
.
中国专利
:CN118778346A
,2024-10-15
[5]
半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图
[P].
金吉松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金吉松
.
中国专利
:CN115602699A
,2023-01-13
[6]
半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图
[P].
金吉松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金吉松
.
中国专利
:CN115566019A
,2023-01-03
[7]
半导体结构及其形成方法、及掩膜版版图
[P].
吴轶超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
吴轶超
.
中国专利
:CN118522723A
,2024-08-20
[8]
掩膜版版图以及形成半导体结构的方法
[P].
余云初
论文数:
0
引用数:
0
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余云初
;
沈忆华
论文数:
0
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0
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0
沈忆华
;
潘见
论文数:
0
引用数:
0
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0
潘见
;
傅丰华
论文数:
0
引用数:
0
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0
傅丰华
.
中国专利
:CN106610562B
,2017-05-03
[9]
掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法
[P].
王占雨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王占雨
;
舒强
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
舒强
;
覃柳莎
论文数:
0
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0
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0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
覃柳莎
;
张迎春
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
张迎春
.
中国专利
:CN113075856B
,2024-06-18
[10]
掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法
[P].
王占雨
论文数:
0
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0
王占雨
;
舒强
论文数:
0
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0
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舒强
;
覃柳莎
论文数:
0
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覃柳莎
;
张迎春
论文数:
0
引用数:
0
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0
张迎春
.
中国专利
:CN113075856A
,2021-07-06
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