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掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911309918.3
申请日：
2019-12-18
公开(公告)号：
CN112987485A
公开(公告)日：
2021-06-18
发明(设计)人：
李亮 杜杳隽 倪昶
申请人：
申请人地址：
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号：
G03F136
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-07-06 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/36 申请日:20191218
2021-06-18 公开 公开
共 50 条
[1]
掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P]. 
王占雨 ;
舒强 ;
覃柳莎 ;
张迎春 .
中国专利 :CN113075856B ,2024-06-18
[2]
掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P]. 
王占雨 ;
舒强 ;
覃柳莎 ;
张迎春 .
中国专利 :CN113075856A ,2021-07-06
[3]
目标版图和掩膜版版图的修正方法、掩膜版及半导体结构 [P]. 
杜杳隽 ;
徐垚 .
中国专利 :CN112824972B ,2024-06-18
[4]
目标版图和掩膜版版图的修正方法、掩膜版及半导体结构 [P]. 
杜杳隽 ;
徐垚 .
中国专利 :CN112824972A ,2021-05-21
[5]
掩膜版图形的形成方法及掩膜版 [P]. 
朱文焘 .
中国专利 :CN119045275A ,2024-11-29
[6]
掩膜版版图的修正方法及掩膜版版图 [P]. 
郑二虎 ;
张冬平 ;
洪中山 .
中国专利 :CN113517180A ,2021-10-19
[7]
目标版图和掩膜版版图的修正方法及半导体结构 [P]. 
杜杳隽 .
中国专利 :CN112824971A ,2021-05-21
[8]
目标版图和掩膜版版图的修正方法及半导体结构 [P]. 
杜杳隽 .
中国专利 :CN112824971B ,2024-09-17
[9]
掩膜版版图、半导体结构和半导体结构的形成方法 [P]. 
杜杳隽 ;
杨青 .
中国专利 :CN113496879B ,2024-12-17
[10]
掩膜版版图、半导体结构和半导体结构的形成方法 [P]. 
杜杳隽 ;
杨青 .
中国专利 :CN113496879A ,2021-10-12
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