发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110058560.9

申请日：

2011-03-08

公开(公告)号：

CN102194932B

公开(公告)日：

2011-09-21

发明(设计)人：

郑泳奎朴径旭宋俊午崔光基宋大正

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3332 H01L3302 H01L3336 H01L25075 H01L3348 H01L3362

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

陆弋;王伟

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-17	授权	授权
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101141112014 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011100585609 申请日:20110308
2021-08-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20210817 变更事项:专利权人变更前权利人:LG伊诺特有限公司变更后权利人:苏州乐琻半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:江苏省苏州市太仓市常胜北路168号
2011-09-21	公开	公开

共 50 条

[1]

发光器件及其制造方法 [P].

白好善 ;

金学焕 ;

吴承璟 .

中国专利 :CN102738342A ,2012-10-17

[2]

发光器件及其制造方法 [P].

仓本大 ;

幸田伦太郎 ;

渡边秀辉 .

中国专利 :CN103828147A ,2014-05-28

[3]

发光器件及其制造方法 [P].

金泰亨 ;

孙哲守 ;

梁钟隣 ;

宋尚烨 ;

李時赫 .

中国专利 :CN102569574B ,2012-07-11

[4]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 ;

李尚烈 ;

宋俊午 ;

文智炯 ;

崔光基 .

中国专利 :CN102044613B ,2011-05-04

[5]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

友田胜宽 .

中国专利 :CN101752488A ,2010-06-23

[6]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

赤池康彦 ;

古川和由 .

中国专利 :CN1199291C ,2002-05-01

[7]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 ;

李尚烈 ;

宋俊午 ;

崔光基 .

中国专利 :CN102044609A ,2011-05-04

[8]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN101939860A ,2011-01-05

[9]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN102124579B ,2011-07-13

[10]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 ;

李尚烈 ;

宋俊午 ;

吴昌勋 ;

崔熙石 ;

崔光基 .

中国专利 :CN102044611B ,2011-05-04

← 1 2 3 4 5 →