具有核-壳结构的Ga掺杂的InP量子点及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611213969.2

申请日：

2016-12-23

公开(公告)号：

CN108239535A

公开(公告)日：

2018-07-03

发明(设计)人：

张卫张超王允军

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城NW06-403

IPC主分类号：

C09K1188

IPC分类号：

C09K1102

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/88 申请日:20161223
2021-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

具有核-壳结构的掺杂半导体纳米晶量子点及其制备方法 [P].

高静 ;

赵飞 ;

李望 ;

吴洪剑 ;

周海 ;

涂丽眉 .

中国专利 :CN103450904B ,2013-12-18

[2]

具有核-壳结构的纳米晶量子点及其制备方法 [P].

高静 ;

史维维 ;

郑斌 ;

赵飞 .

中国专利 :CN103113882A ,2013-05-22

[3]

核壳结构量子点的制备方法和核壳结构量子点 [P].

周礼宽 ;

孙培川 ;

杨一行 .

中国专利 :CN112552915A ,2021-03-26

[4]

一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法 [P].

李福山 ;

陈祥 ;

胡海龙 ;

赵等临 ;

杨开宇 ;

郭太良 .

中国专利 :CN113512416A ,2021-10-19

[5]

核壳结构的InP/ZnS纳米晶的制备方法 [P].

刘政 ;

杨一行 .

中国专利 :CN108795425A ,2018-11-13

[6]

一种具有核壳结构的量子点及其制备方法 [P].

许荣辉 ;

文九巴 ;

贾江议 ;

李海涛 ;

赵飞 ;

韩金波 ;

尚兴记 .

中国专利 :CN102241975A ,2011-11-16

[7]

一种InP量子点的制备方法及InP量子点 [P].

张卫 ;

张超 ;

王允军 .

中国专利 :CN106701076B ,2017-05-24

[8]

一种InP/ZnS核壳结构量子点的制备方法 [P].

金肖 ;

张虚谷 ;

纪丽珊 ;

蒋杰 ;

王凛烽 .

中国专利 :CN107502352A ,2017-12-22

[9]

核壳结构量子点的制备方法及由其制备的核壳结构量子点 [P].

单玉亮 ;

曹佳佳 ;

曹越峰 ;

王允军 .

中国专利 :CN112143480A ,2020-12-29

[10]

制备核壳结构钙钛矿量子点的方法 [P].

向爱双 ;

邓正涛 .

中国专利 :CN107099290A ,2017-08-29

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