一种InP量子点的制备方法及InP量子点

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611047783.4

申请日：

2016-11-23

公开(公告)号：

CN106701076B

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

张卫张超王允军

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城NW06-403

IPC主分类号：

C09K1170

IPC分类号：

C09K1102 C09K1188

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727786351 IPC(主分类):C09K 11/70 专利申请号:2016110477834 申请日:20161123
2017-05-24	公开	公开
2019-10-29	授权	授权

共 50 条

[1]

InP量子点及制备方法、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS量子点 [P].

曹璠 ;

杨绪勇 ;

王胜 .

中国专利 :CN113637477A ,2021-11-12

[2]

InP量子点的制备方法 [P].

张道礼 ;

张建兵 ;

吴启明 ;

袁林 .

中国专利 :CN1912048A ,2007-02-14

[3]

InP量子点及其制备方法 [P].

孙笑 ;

程陆玲 .

中国专利 :CN113845098A ,2021-12-28

[4]

InP量子点及其制备方法 [P].

王允军 ;

张卫 .

中国专利 :CN109111921A ,2019-01-01

[5]

InP量子点及其制备方法 [P].

乔培胜 ;

汪均 ;

涂丽眉 ;

李光旭 ;

高静 .

中国专利 :CN106479482B ,2017-03-08

[6]

InP量子点及其制备方法 [P].

高静 ;

汪均 ;

陈昌磊 ;

涂丽眉 ;

赵飞 ;

苏叶华 .

中国专利 :CN106701059A ,2017-05-24

[7]

InP量子点前体的制造方法和InP系量子点的制造方法 [P].

中对一博 ;

续石大气 ;

坂上知 .

中国专利 :CN113905980A ,2022-01-07

[8]

一种InP量子点及其制备方法 [P].

李万万 ;

林拱立 .

中国专利 :CN110157407B ,2019-08-23

[9]

一种InP量子点及其制备方法 [P].

张卫 ;

张超 ;

王允军 .

中国专利 :CN106433640A ,2017-02-22

[10]

一种InP量子点的后处理方法 [P].

聂志文 ;

杨一行 .

中国专利 :CN110616072A ,2019-12-27

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