InP量子点的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610019924.1

申请日：

2006-08-07

公开(公告)号：

CN1912048A

公开(公告)日：

2007-02-14

发明(设计)人：

张道礼张建兵吴启明袁林

申请人：

申请人地址：

430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

C09K1170

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心

代理人：

曹葆青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

InP量子点及制备方法、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS量子点 [P].

曹璠 ;

杨绪勇 ;

王胜 .

中国专利 :CN113637477A ,2021-11-12

[2]

一种InP量子点的制备方法及InP量子点 [P].

张卫 ;

张超 ;

王允军 .

中国专利 :CN106701076B ,2017-05-24

[3]

InP量子点及其制备方法 [P].

孙笑 ;

程陆玲 .

中国专利 :CN113845098A ,2021-12-28

[4]

InP量子点及其制备方法 [P].

王允军 ;

张卫 .

中国专利 :CN109111921A ,2019-01-01

[5]

InP量子点及其制备方法 [P].

乔培胜 ;

汪均 ;

涂丽眉 ;

李光旭 ;

高静 .

中国专利 :CN106479482B ,2017-03-08

[6]

InP量子点及其制备方法 [P].

高静 ;

汪均 ;

陈昌磊 ;

涂丽眉 ;

赵飞 ;

苏叶华 .

中国专利 :CN106701059A ,2017-05-24

[7]

InP量子点前体的制造方法和InP系量子点的制造方法 [P].

中对一博 ;

续石大气 ;

坂上知 .

中国专利 :CN113905980A ,2022-01-07

[8]

一种InP量子点及其制备方法 [P].

李万万 ;

林拱立 .

中国专利 :CN110157407B ,2019-08-23

[9]

量子点的制备方法以及量子点、量子点显示基板 [P].

卢志高 .

中国专利 :CN112500848A ,2021-03-16

[10]

InP基合金量子点的制备方法及量子点、器件及组合物 [P].

乔培胜 ;

高静 ;

谢阳腊 ;

余文华 ;

汪均 ;

苏叶华 .

中国专利 :CN108893119A ,2018-11-27

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