InP基合金量子点的制备方法及量子点、器件及组合物

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810788476.4
申请日
2018-07-18
公开(公告)号
CN108893119A
公开(公告)日
2018-11-27
发明(设计)人
乔培胜 高静 谢阳腊 余文华 汪均 苏叶华
申请人
申请人地址
310052 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼
IPC主分类号
C09K1188
IPC分类号
B82Y2000 B82Y4000
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
InP量子点的制备方法 [P]. 
张道礼 ;
张建兵 ;
吴启明 ;
袁林 .
中国专利 :CN1912048A ,2007-02-14
[2]
量子点核和核壳量子点的制备方法及量子点材料、组合物 [P]. 
乔培胜 ;
吴洪剑 ;
余文华 ;
苏叶华 .
中国专利 :CN111117621B ,2020-05-08
[3]
InP量子点及其制备方法 [P]. 
孙笑 ;
程陆玲 .
中国专利 :CN113845098A ,2021-12-28
[4]
核壳量子点制备方法、核壳量子点及量子点电致器件 [P]. 
陈小朋 ;
赵海洋 ;
谢阳腊 .
中国专利 :CN109439328B ,2019-03-08
[5]
量子点、包括其的量子点群、显示器件、量子点复合物和量子点组合物 [P]. 
金善英 ;
金龙郁 ;
权秀暻 ;
金智荣 ;
黄成宇 .
中国专利 :CN114381268A ,2022-04-22
[6]
量子点、包括其的量子点群、显示器件、量子点复合物和量子点组合物 [P]. 
金善英 ;
金龙郁 ;
权秀暻 ;
金智荣 ;
黄成宇 .
韩国专利 :CN114381268B ,2025-05-13
[7]
量子点、量子点的制备方法及包含量子点的发光元件 [P]. 
郑濬赫 ;
金成在 ;
金泳植 ;
朴昇元 ;
尹必娜 ;
李栋熙 .
韩国专利 :CN118085851A ,2024-05-28
[8]
量子点、量子点复合物及其制备方法、量子点制品 [P]. 
马卜 ;
魏玮峣 ;
周腾飞 ;
王允军 .
中国专利 :CN115820241B ,2025-02-11
[9]
核壳量子点、其制备方法、及含其的光电器件和量子点组合物 [P]. 
周健海 ;
余世荣 .
中国专利 :CN112824478A ,2021-05-21
[10]
核壳量子点、其制备方法、及含其的光电器件和量子点组合物 [P]. 
周健海 ;
余世荣 .
中国专利 :CN112824478B ,2024-04-16