一种InP量子点及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910398147.3

申请日：

2019-05-14

公开(公告)号：

CN110157407B

公开(公告)日：

2019-08-23

发明(设计)人：

李万万林拱立

申请人：

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

C09K1102

IPC分类号：

C09K1170 C09K1188 B82Y2000 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

上海旭诚知识产权代理有限公司 31220

代理人：

郑立

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-23	公开	公开
2019-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/02 申请日:20190514
2022-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

InP量子点及其制备方法 [P].

孙笑 ;

程陆玲 .

中国专利 :CN113845098A ,2021-12-28

[2]

InP量子点及其制备方法 [P].

王允军 ;

张卫 .

中国专利 :CN109111921A ,2019-01-01

[3]

InP量子点及其制备方法 [P].

乔培胜 ;

汪均 ;

涂丽眉 ;

李光旭 ;

高静 .

中国专利 :CN106479482B ,2017-03-08

[4]

InP量子点及其制备方法 [P].

高静 ;

汪均 ;

陈昌磊 ;

涂丽眉 ;

赵飞 ;

苏叶华 .

中国专利 :CN106701059A ,2017-05-24

[5]

一种InP量子点的制备方法及InP量子点 [P].

张卫 ;

张超 ;

王允军 .

中国专利 :CN106701076B ,2017-05-24

[6]

一种InP量子点及其制备方法 [P].

张卫 ;

张超 ;

王允军 .

中国专利 :CN106433640A ,2017-02-22

[7]

InP量子点及制备方法、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS量子点 [P].

曹璠 ;

杨绪勇 ;

王胜 .

中国专利 :CN113637477A ,2021-11-12

[8]

InP量子点的制备方法 [P].

张道礼 ;

张建兵 ;

吴启明 ;

袁林 .

中国专利 :CN1912048A ,2007-02-14

[9]

一种InP量子点及其制备方法和应用 [P].

孙小卫 ;

段西健 ;

王恺 ;

刘湃 ;

张文达 ;

徐冰 .

中国专利 :CN113717713B ,2024-01-05

[10]

一种InP量子点及其制备方法和应用 [P].

孙小卫 ;

段西健 ;

王恺 ;

刘湃 ;

张文达 ;

徐冰 .

中国专利 :CN113717713A ,2021-11-30

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