InP量子点及制备方法、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS量子点

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110957163.9

申请日：

2021-08-20

公开(公告)号：

CN113637477A

公开(公告)日：

2021-11-12

发明(设计)人：

曹璠杨绪勇王胜

申请人：

申请人地址：

314499 浙江省嘉兴市海宁市海昌街道海宁大道8号8幢403、404室

IPC主分类号：

C09K1170

IPC分类号：

C09K1102 C09K1188 B82Y2000 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/70 申请日:20210820
2021-11-12	公开	公开

共 50 条

[1]

蓝光InP/ZnSe/ZnS核壳量子点及制备方法 [P].

李冬 ;

牛越农 ;

胡家赫 ;

范少雄 .

中国专利 :CN117363359A ,2024-01-09

[2]

一种InP量子点的制备方法及InP量子点 [P].

张卫 ;

张超 ;

王允军 .

中国专利 :CN106701076B ,2017-05-24

[3]

一种核壳InP/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法 [P].

张志宽 ;

李祥 ;

徐冰 ;

孙小卫 .

中国专利 :CN112608752A ,2021-04-06

[4]

InP量子点及其制备方法 [P].

乔培胜 ;

汪均 ;

涂丽眉 ;

李光旭 ;

高静 .

中国专利 :CN106479482B ,2017-03-08

[5]

InP量子点及其制备方法 [P].

孙笑 ;

程陆玲 .

中国专利 :CN113845098A ,2021-12-28

[6]

InP量子点的制备方法 [P].

张道礼 ;

张建兵 ;

吴启明 ;

袁林 .

中国专利 :CN1912048A ,2007-02-14

[7]

InP量子点及其制备方法 [P].

王允军 ;

张卫 .

中国专利 :CN109111921A ,2019-01-01

[8]

InP量子点及其制备方法 [P].

高静 ;

汪均 ;

陈昌磊 ;

涂丽眉 ;

赵飞 ;

苏叶华 .

中国专利 :CN106701059A ,2017-05-24

[9]

InP量子点前体的制造方法和InP系量子点的制造方法 [P].

中对一博 ;

续石大气 ;

坂上知 .

中国专利 :CN113905980A ,2022-01-07

[10]

一种InP/ZnS核壳结构量子点及制备方法 [P].

常津 ;

郭伟圣 ;

杨秋花 ;

朱盛疆 .

中国专利 :CN102031110A ,2011-04-27

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