一种InP量子点的后处理方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810633136.4
申请日
2018-06-20
公开(公告)号
CN110616072A
公开(公告)日
2019-12-27
发明(设计)人
聂志文 杨一行
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市高新科技园南区南一道TCL大厦
IPC主分类号
C09K1170
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人
王永文;刘文求
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种量子点的后处理方法 [P]. 
杨一行 ;
杨成玉 .
中国专利 :CN109385279A ,2019-02-26
[2]
一种InP量子点的制备方法及InP量子点 [P]. 
张卫 ;
张超 ;
王允军 .
中国专利 :CN106701076B ,2017-05-24
[3]
量子点的后处理方法 [P]. 
程陆玲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN111378448B ,2020-07-07
[4]
量子点的后处理方法 [P]. 
程陆玲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN111378426B ,2020-07-07
[5]
量子点的后处理方法 [P]. 
程陆玲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN111378427B ,2020-07-07
[6]
量子点的后处理方法 [P]. 
程陆玲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN111378449B ,2020-07-07
[7]
量子点的后处理方法 [P]. 
程陆玲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN111378447A ,2020-07-07
[8]
一种量子点的后处理方法 [P]. 
杨一行 ;
杨成玉 ;
刘政 ;
钱磊 ;
曹蔚然 .
中国专利 :CN106753330B ,2017-05-31
[9]
一种油溶性量子点的后处理方法 [P]. 
陈开敏 .
中国专利 :CN113046054A ,2021-06-29
[10]
InP量子点及制备方法、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS量子点 [P]. 
曹璠 ;
杨绪勇 ;
王胜 .
中国专利 :CN113637477A ,2021-11-12