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一种InP量子点的后处理方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810633136.4
申请日
:
2018-06-20
公开(公告)号
:
CN110616072A
公开(公告)日
:
2019-12-27
发明(设计)人
:
聂志文
杨一行
申请人
:
申请人地址
:
518000 广东省深圳市高新科技园南区南一道TCL大厦
IPC主分类号
:
C09K1170
IPC分类号
:
B82Y4000
代理机构
:
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人
:
王永文;刘文求
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-12-27
公开
公开
2020-01-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/70 申请日:20180620
共 50 条
[1]
一种量子点的后处理方法
[P].
杨一行
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨一行
;
杨成玉
论文数:
0
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0
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0
杨成玉
.
中国专利
:CN109385279A
,2019-02-26
[2]
一种InP量子点的制备方法及InP量子点
[P].
张卫
论文数:
0
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张卫
;
张超
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0
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张超
;
王允军
论文数:
0
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0
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0
王允军
.
中国专利
:CN106701076B
,2017-05-24
[3]
量子点的后处理方法
[P].
程陆玲
论文数:
0
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0
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0
程陆玲
;
杨一行
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0
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0
杨一行
.
中国专利
:CN111378448B
,2020-07-07
[4]
量子点的后处理方法
[P].
程陆玲
论文数:
0
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0
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程陆玲
;
杨一行
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0
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0
杨一行
.
中国专利
:CN111378426B
,2020-07-07
[5]
量子点的后处理方法
[P].
程陆玲
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程陆玲
;
杨一行
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0
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杨一行
.
中国专利
:CN111378427B
,2020-07-07
[6]
量子点的后处理方法
[P].
程陆玲
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0
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程陆玲
;
杨一行
论文数:
0
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0
杨一行
.
中国专利
:CN111378449B
,2020-07-07
[7]
量子点的后处理方法
[P].
程陆玲
论文数:
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程陆玲
;
杨一行
论文数:
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杨一行
.
中国专利
:CN111378447A
,2020-07-07
[8]
一种量子点的后处理方法
[P].
杨一行
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杨一行
;
杨成玉
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杨成玉
;
刘政
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刘政
;
钱磊
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0
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钱磊
;
曹蔚然
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0
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曹蔚然
.
中国专利
:CN106753330B
,2017-05-31
[9]
一种油溶性量子点的后处理方法
[P].
陈开敏
论文数:
0
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0
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陈开敏
.
中国专利
:CN113046054A
,2021-06-29
[10]
InP量子点及制备方法、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS量子点
[P].
曹璠
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曹璠
;
杨绪勇
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杨绪勇
;
王胜
论文数:
0
引用数:
0
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0
王胜
.
中国专利
:CN113637477A
,2021-11-12
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