绝缘体上硅及其制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610028767.0

申请日：

2006-07-07

公开(公告)号：

CN101101891A

公开(公告)日：

2008-01-09

发明(设计)人：

陈猛

申请人：

申请人地址：

201821上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L21762 H01L2120 H01L2100 H01L2712

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-07-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003247801 IPC(主分类):H01L 21/84 专利申请号:2006100287670 公开日:20080109
2008-01-09	公开	公开

共 50 条

[1]

绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺 [P].

钱钦松 ;

朱奎英 ;

孙伟锋 ;

孙俊 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101834158A ,2010-09-15

[2]

绝缘体上硅及其制备方法 [P].

徐春云 ;

徐振宇 .

中国专利 :CN104766788A ,2015-07-08

[3]

绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103035654B ,2013-04-10

[4]

绝缘体上硅结构及其制备方法 [P].

张旭 ;

李海艇 ;

周强 ;

侯飞凡 .

中国专利 :CN117276287B ,2024-07-19

[5]

绝缘体上硅器件及其制造方法 [P].

迪斯尼·R·唐纳德 .

中国专利 :CN102163574B ,2011-08-24

[6]

绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 ;

许丹 .

中国专利 :CN103022054A ,2013-04-03

[7]

绝缘体上硅及其键合方法 [P].

汪聪颖 ;

刘燕 ;

陈国兴 .

中国专利 :CN117727687A ,2024-03-19

[8]

绝缘体上硅器件及其制造方法 [P].

金容铎 ;

张太洙 .

中国专利 :CN101488522A ,2009-07-22

[9]

绝缘体上硅器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102339836B ,2012-02-01

[10]

绝缘体上硅器件 [P].

T·莱塔维克 ;

J·彼得鲁泽洛 .

中国专利 :CN1802753A ,2006-07-12

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