一种基于压电效应的磁场传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022075631.3

申请日：

2020-09-21

公开(公告)号：

CN212808588U

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

汪升森张赟

申请人：

申请人地址：

264006 山东省烟台市经济技术开发区珠江路28号科技大厦1019-2室

IPC主分类号：

G01R3306

IPC分类号：

G01R300

代理机构：

北京中济纬天专利代理有限公司 11429

代理人：

潘剑敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于压电效应的温度传感器 [P].

解宜原 ;

汤乾凤 ;

叶逸琛 ;

宋婷婷 ;

段德稳 .

中国专利 :CN113280942A ,2021-08-20

[2]

基于磁电效应与压电效应的电流传感器及芯片 [P].

方东明 ;

季润可 ;

陶毅 ;

王蔓蓉 ;

刘紫威 ;

张程昱 ;

孙恒超 ;

闻志国 ;

李良 ;

杜君 ;

王祥 .

中国专利 :CN118443998A ,2024-08-06

[3]

一种基于石英晶体压电效应的QCM微粒传感器 [P].

王壮壮 .

中国专利 :CN221765187U ,2024-09-24

[4]

一种基于横向压电效应的压力传感器 [P].

安彦召 ;

张延峰 ;

裴毅强 ;

沈世成 ;

赵德阳 .

中国专利 :CN119573967B ,2025-09-16

[5]

一种基于横向压电效应的压力传感器 [P].

安彦召 ;

张延峰 ;

裴毅强 ;

沈世成 ;

赵德阳 .

中国专利 :CN119573967A ,2025-03-07

[6]

基于压电效应的MEMS仿生结构矢量水声传感器 [P].

丑修建 ;

甄国涌 ;

薛晨阳 ;

张文栋 ;

陈婷婷 ;

杨杰 .

中国专利 :CN103245409B ,2013-08-14

[7]

一种基于压电效应的声表面波电场传感器件 [P].

何金良 ;

韩志飞 ;

胡军 ;

张波 .

中国专利 :CN113640592A ,2021-11-12

[8]

基于压电效应的质量秤 [P].

韦一 ;

柏沁园 ;

唐莹 ;

王玉龙 .

中国专利 :CN111896085A ,2020-11-06

[9]

自发电宽频层叠磁致压电效应交流磁场传感器及制作方法 [P].

鲍丙豪 .

中国专利 :CN101430369B ,2009-05-13

[10]

一种基于压电效应的柔性应变传感器及其制备方法 [P].

潘泰松 ;

李嘉成 ;

颜卓程 ;

郭登机 ;

姚光 ;

高敏 ;

林媛 .

中国专利 :CN113358016A ,2021-09-07

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