一种基于石英晶体压电效应的QCM微粒传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420261230.2

申请日：

2024-02-01

公开(公告)号：

CN221765187U

公开(公告)日：

2024-09-24

发明(设计)人：

王壮壮

申请人：

重庆交通大学

申请人地址：

400074 重庆市南岸区学府大道66号

IPC主分类号：

G01N5/02

IPC分类号：

G01N29/02

代理机构：

上海峥泗专利代理事务所(特殊普通合伙) 31481

代理人：

解丽丽

法律状态：

授权

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于压电效应的磁场传感器 [P].

汪升森 ;

张赟 .

中国专利 :CN212808588U ,2021-03-26

[2]

一种基于压电效应的温度传感器 [P].

解宜原 ;

汤乾凤 ;

叶逸琛 ;

宋婷婷 ;

段德稳 .

中国专利 :CN113280942A ,2021-08-20

[3]

一种基于横向压电效应的压力传感器 [P].

安彦召 ;

张延峰 ;

裴毅强 ;

沈世成 ;

赵德阳 .

中国专利 :CN119573967B ,2025-09-16

[4]

一种基于横向压电效应的压力传感器 [P].

安彦召 ;

张延峰 ;

裴毅强 ;

沈世成 ;

赵德阳 .

中国专利 :CN119573967A ,2025-03-07

[5]

基于正、逆压电效应的传感执行器 [P].

任宗金 ;

赵毅 ;

张军 ;

姜明岩 ;

赵凯 ;

李洋 .

中国专利 :CN110426142B ,2019-11-08

[6]

基于磁电效应与压电效应的电流传感器及芯片 [P].

方东明 ;

季润可 ;

陶毅 ;

王蔓蓉 ;

刘紫威 ;

张程昱 ;

孙恒超 ;

闻志国 ;

李良 ;

杜君 ;

王祥 .

中国专利 :CN118443998A ,2024-08-06

[7]

基于压电效应的MEMS仿生结构矢量水声传感器 [P].

丑修建 ;

甄国涌 ;

薛晨阳 ;

张文栋 ;

陈婷婷 ;

杨杰 .

中国专利 :CN103245409B ,2013-08-14

[8]

一种石英晶体传感器 [P].

谢绍娟 ;

张基武 .

中国专利 :CN201897481U ,2011-07-13

[9]

一种基于压电效应的柔性应变传感器及其制备方法 [P].

潘泰松 ;

李嘉成 ;

颜卓程 ;

郭登机 ;

姚光 ;

高敏 ;

林媛 .

中国专利 :CN113358016A ,2021-09-07

[10]

具有快速登记响应的石英晶体微量天平（QCM）传感器 [P].

D·Y·李 ;

C·宋 ;

M·B·林赞 .

美国专利 :CN118511073A ,2024-08-16

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