半导体霍尔传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02807380.0

申请日：

2002-07-25

公开(公告)号：

CN100375308C

公开(公告)日：

2004-09-15

发明(设计)人：

高冢俊德

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L4306

IPC分类号：

G01R3307

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李德山

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-12	授权	授权
2008-01-16	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:旭化成电子株式会社变更后权利人:旭化成电子材料元件株式会社变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京都登记生效日:20071207
2004-09-15	公开	公开
2021-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 43/06 申请日:20020725 授权公告日:20080312 终止日期:20200725
2004-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

基于半导体的霍尔传感器 [P].

李性宇 ;

安熙伯 .

中国专利 :CN104253208B ,2014-12-31

[2]

具有集成霍尔传感器的半导体装置 [P].

H.安格雷尔 ;

L.格尔根斯 ;

F.希尔勒 ;

G.波佐维沃 ;

W.里格尔 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN103022028B ,2013-04-03

[3]

垂直霍尔传感器及半导体器件 [P].

程晓峰 ;

边程浩 ;

谢伟军 .

中国专利 :CN121152549A ,2025-12-16

[4]

水平霍尔传感器及半导体器件 [P].

程晓峰 ;

周林 ;

边程浩 .

中国专利 :CN121152550A ,2025-12-16

[5]

半导体传感器结构 [P].

M·科尼尔斯 ;

M-C·韦基 .

中国专利 :CN111211219A ,2020-05-29

[6]

半导体传感器结构 [P].

M·科尼尔斯 ;

M-C·韦基 .

中国专利 :CN111435700A ,2020-07-21

[7]

霍尔传感器 [P].

飞冈孝明 ;

挽地友生 .

中国专利 :CN106716164A ,2017-05-24

[8]

半导体传感器 [P].

松原直辉 .

中国专利 :CN1822722A ,2006-08-23

[9]

半导体传感器 [P].

宫川成人 ;

牛场翔太 ;

品川步 ;

冈优果 ;

木村雅彦 .

中国专利 :CN115702343A ,2023-02-14

[10]

霍尔传感器设备 [P].

M·科尼尔斯 ;

C·桑德 .

中国专利 :CN104576918B ,2015-04-29

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