基于半导体的霍尔传感器

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专利类型
发明
申请号
CN201310629910.1
申请日
2013-11-29
公开(公告)号
CN104253208B
公开(公告)日
2014-12-31
发明(设计)人
李性宇 安熙伯
申请人
申请人地址
韩国忠清北道
IPC主分类号
H01L4306
IPC分类号
H01L4304
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
王萍;李春晖
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体霍尔传感器 [P]. 
高冢俊德 .
中国专利 :CN100375308C ,2004-09-15
[2]
具有集成霍尔传感器的半导体装置 [P]. 
H.安格雷尔 ;
L.格尔根斯 ;
F.希尔勒 ;
G.波佐维沃 ;
W.里格尔 ;
M.聪德尔 .
中国专利 :CN103022028B ,2013-04-03
[3]
水平霍尔传感器及半导体器件 [P]. 
程晓峰 ;
周林 ;
边程浩 .
中国专利 :CN121152550A ,2025-12-16
[4]
霍尔传感器 [P]. 
飞冈孝明 ;
挽地友生 .
中国专利 :CN106716164A ,2017-05-24
[5]
集成霍尔电流传感器的功率半导体模块 [P]. 
王玉林 ;
滕鹤松 .
中国专利 :CN205141028U ,2016-04-06
[6]
集成霍尔电流传感器的功率半导体模块 [P]. 
王玉林 ;
滕鹤松 .
中国专利 :CN105428521B ,2016-03-23
[7]
垂直霍尔传感器及半导体器件 [P]. 
程晓峰 ;
边程浩 ;
谢伟军 .
中国专利 :CN121152549A ,2025-12-16
[8]
霍尔传感器设备 [P]. 
M·科尼尔斯 ;
C·桑德 .
中国专利 :CN104576918B ,2015-04-29
[9]
补偿集成在半导体衬底中的霍尔传感器电路的机械应力 [P]. 
M·莫茨 .
中国专利 :CN110501031A ,2019-11-26
[10]
半导体传感器结构 [P]. 
M·科尼尔斯 ;
M-C·韦基 .
中国专利 :CN111211219A ,2020-05-29