只读存储器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03109086.9

申请日：

2003-04-02

公开(公告)号：

CN1534767A

公开(公告)日：

2004-10-06

发明(设计)人：

刘振钦

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区力行路16号

IPC主分类号：

H01L218246

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

王学强

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8246 申请日:20030402 授权公告日:20060913 终止日期:20190402
2004-10-06	公开	公开
2004-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-09-13	授权	授权

共 50 条

[1]

制造氮化硅只读存储器的方法 [P].

刘承杰 ;

熊黛良 ;

陈家兴 .

中国专利 :CN1501478A ,2004-06-02

[2]

只读存储器及其制造方法 [P].

张格荥 .

中国专利 :CN1133215C ,1999-12-29

[3]

制造氮化硅只读存储器的方法 [P].

刘振钦 .

中国专利 :CN1481016A ,2004-03-10

[4]

屏蔽式只读存储器的制造方法 [P].

张有志 ;

叶双凤 .

中国专利 :CN1256767C ,2004-02-04

[5]

掩模式只读存储器的制造方法 [P].

潘仁泉 .

中国专利 :CN1240128C ,2004-01-07

[6]

只读存储器及其制造方法 [P].

陈盈佐 ;

黄仲仁 .

中国专利 :CN1311556C ,2005-03-09

[7]

只读存储器的制造方法 [P].

刘振钦 ;

庄焜吉 .

中国专利 :CN1286169C ,2005-01-19

[8]

只读存储器的制造方法 [P].

杨大弘 ;

钟维民 ;

薛正诚 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN1286166C ,2003-10-15

[9]

氮化硅只读存储器的制造方法 [P].

范左鸿 ;

卢道政 .

中国专利 :CN1256768C ,2004-01-28

[10]

氮化硅只读存储器的制造方法 [P].

刘建宏 ;

潘锡树 ;

黄守伟 .

中国专利 :CN1393927A ,2003-01-29

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