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制造氮化硅只读存储器的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN02149394.4
申请日：
2002-11-12
公开(公告)号：
CN1501478A
公开(公告)日：
2004-06-02
发明(设计)人：
刘承杰 熊黛良 陈家兴
申请人：
申请人地址：
台湾省新竹科学工业园区力行路16号
IPC主分类号：
H01L218246
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：
王学强
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-29 专利权的终止 专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/8246 申请日:20021112 授权公告日:20080521
2004-09-15 实质审查的生效 实质审查的生效
2008-05-21 授权 授权
2004-06-02 公开 公开
共 50 条
[1]
制造氮化硅只读存储器的方法 [P]. 
刘振钦 .
中国专利 :CN1481016A ,2004-03-10
[2]
氮化硅只读存储器及其制造方法 [P]. 
张国华 .
中国专利 :CN1263150C ,2004-07-07
[3]
双位氮化硅只读存储器制造方法及双位氮化硅只读存储器 [P]. 
田志 ;
谢欣云 .
中国专利 :CN102709165B ,2012-10-03
[4]
氮化硅只读存储器的制造方法 [P]. 
范左鸿 ;
卢道政 .
中国专利 :CN1256768C ,2004-01-28
[5]
氮化硅只读存储器的制造方法 [P]. 
刘建宏 ;
潘锡树 ;
黄守伟 .
中国专利 :CN1393927A ,2003-01-29
[6]
氮化硅只读存储器的制造方法 [P]. 
宋建龙 ;
陈家兴 ;
刘振钦 .
中国专利 :CN1231963C ,2003-02-12
[7]
氮化硅只读存储器的制造方法 [P]. 
刘建宏 ;
潘锡树 ;
黄守伟 .
中国专利 :CN1452238A ,2003-10-29
[8]
氮化硅只读存储器及其制造方法 [P]. 
张国华 .
中国专利 :CN1263148C ,2004-06-30
[9]
氮化硅只读存储器组件的制造方法 [P]. 
郭东政 .
中国专利 :CN1259713C ,2003-05-21
[10]
氮化硅只读存储器的结构与制造方法 [P]. 
张国华 .
中国专利 :CN1420552A ,2003-05-28
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