双位氮化硅只读存储器制造方法及双位氮化硅只读存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210009093.5

申请日：

2012-01-12

公开(公告)号：

CN102709165B

公开(公告)日：

2012-10-03

发明(设计)人：

田志谢欣云

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L218246 H01L29423 H01L27112

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

陆花

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	授权	授权
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101353331088 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012100090935 申请日:20120112
2012-10-03	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅只读存储器及其制造方法 [P].

张国华 .

中国专利 :CN1263150C ,2004-07-07

[2]

制造氮化硅只读存储器的方法 [P].

刘振钦 .

中国专利 :CN1481016A ,2004-03-10

[3]

氮化硅只读存储器的制造方法 [P].

范左鸿 ;

卢道政 .

中国专利 :CN1256768C ,2004-01-28

[4]

氮化硅只读存储器的制造方法 [P].

刘建宏 ;

潘锡树 ;

黄守伟 .

中国专利 :CN1393927A ,2003-01-29

[5]

制造氮化硅只读存储器的方法 [P].

刘承杰 ;

熊黛良 ;

陈家兴 .

中国专利 :CN1501478A ,2004-06-02

[6]

氮化硅只读存储器的制造方法 [P].

宋建龙 ;

陈家兴 ;

刘振钦 .

中国专利 :CN1231963C ,2003-02-12

[7]

氮化硅只读存储器及其制造方法 [P].

张国华 .

中国专利 :CN1263148C ,2004-06-30

[8]

氮化硅只读存储器的制造方法 [P].

刘建宏 ;

潘锡树 ;

黄守伟 .

中国专利 :CN1452238A ,2003-10-29

[9]

氮化硅只读存储器组件的制造方法 [P].

郭东政 .

中国专利 :CN1259713C ,2003-05-21

[10]

氮化硅只读存储器的结构与制造方法 [P].

张国华 .

中国专利 :CN1420552A ,2003-05-28

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