氮化硅只读存储器组件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01134770.8

申请日：

2001-11-12

公开(公告)号：

CN1259713C

公开(公告)日：

2003-05-21

发明(设计)人：

郭东政

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区力行路16号

IPC主分类号：

H01L218246

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

王学强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-06-14	授权	授权
2003-05-21	公开	公开
2020-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8246 申请日:20011112 授权公告日:20060614 终止日期:20191112

共 50 条

[1]

制造氮化硅只读存储器的方法 [P].

刘振钦 .

中国专利 :CN1481016A ,2004-03-10

[2]

氮化硅只读存储器的制造方法 [P].

范左鸿 ;

卢道政 .

中国专利 :CN1256768C ,2004-01-28

[3]

氮化硅只读存储器的制造方法 [P].

刘建宏 ;

潘锡树 ;

黄守伟 .

中国专利 :CN1393927A ,2003-01-29

[4]

制造氮化硅只读存储器的方法 [P].

刘承杰 ;

熊黛良 ;

陈家兴 .

中国专利 :CN1501478A ,2004-06-02

[5]

氮化硅只读存储器的制造方法 [P].

宋建龙 ;

陈家兴 ;

刘振钦 .

中国专利 :CN1231963C ,2003-02-12

[6]

氮化硅只读存储器的制造方法 [P].

刘建宏 ;

潘锡树 ;

黄守伟 .

中国专利 :CN1452238A ,2003-10-29

[7]

氮化硅只读存储器及其制造方法 [P].

张国华 .

中国专利 :CN1263150C ,2004-07-07

[8]

氮化硅只读存储器及其制造方法 [P].

张国华 .

中国专利 :CN1263148C ,2004-06-30

[9]

双位氮化硅只读存储器制造方法及双位氮化硅只读存储器 [P].

田志 ;

谢欣云 .

中国专利 :CN102709165B ,2012-10-03

[10]

防止天线效应的氮化硅只读存储器组件的结构 [P].

郭东政 ;

刘建宏 ;

潘锡树 ;

黄守伟 .

中国专利 :CN1419294A ,2003-05-21

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