一种QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710329096.X

申请日：

2017-05-11

公开(公告)号：

CN108878618B

公开(公告)日：

2018-11-23

发明(设计)人：

杨成玉杨一行

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人：

官建红

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-23	公开	公开
2020-03-24	授权	授权
2018-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/48 申请日:20170511

共 50 条

[1]

QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

梁柱荣 ;

刘佳 .

中国专利 :CN109244252B ,2019-01-18

[2]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN106410052A ,2017-02-15

[3]

一种QLED器件及其制备方法 [P].

钱磊 ;

杨一行 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN105720206A ,2016-06-29

[4]

一种QLED器件、显示装置及其制备方法 [P].

钱磊 ;

杨一行 ;

曹蔚然 ;

向超宇 ;

陈崧 .

中国专利 :CN108695438B ,2018-10-23

[5]

一种QLED器件、显示装置及其制备方法 [P].

钱磊 ;

杨一行 ;

曹蔚然 ;

向超宇 ;

陈崧 .

中国专利 :CN108735907A ,2018-11-02

[6]

一种QLED器件、显示装置及其制备方法 [P].

陈崧 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108807703A ,2018-11-13

[7]

QLED器件及其制备方法 [P].

杨紫琰 ;

龙能文 ;

管子豪 .

中国专利 :CN113851593A ,2021-12-28

[8]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘欣 .

中国专利 :CN115498120B ,2025-05-02

[9]

QLED器件及其制备方法 [P].

汪鹏生 ;

龚克 .

中国专利 :CN115440911A ,2022-12-06

[10]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN109980109B ,2019-07-05

← 1 2 3 4 5 →