基于硅纳米线或硅纳米线阵列的硫化氢荧光化学传感器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510194017.X

申请日：

2015-04-22

公开(公告)号：

CN104792758A

公开(公告)日：

2015-07-22

发明(设计)人：

穆丽璇王会敏师文生

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村东路29号

IPC主分类号：

G01N2164

IPC分类号：

代理机构：

北京正理专利代理有限公司 11257

代理人：

蔡蓉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101621076254 IPC(主分类):G01N 21/64 专利申请号:201510194017X 申请日:20150422
2015-07-22	公开	公开
2018-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

基于硅纳米线或硅纳米线阵列的硫离子荧光化学传感器的制备方法 [P].

穆丽璇 ;

王会敏 ;

师文生 .

中国专利 :CN104155277A ,2014-11-19

[2]

基于硅纳米线的碱性磷酸酶荧光化学传感器及制法和应用 [P].

穆丽璇 ;

王会敏 ;

师文生 .

中国专利 :CN103937488A ,2014-07-23

[3]

基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法 [P].

师文生 ;

穆丽璇 .

中国专利 :CN101671020A ,2010-03-17

[4]

硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李亚丽 ;

王艳周 ;

栗军帅 .

中国专利 :CN106409653B ,2017-02-15

[5]

硅纳米线阵列的制备方法 [P].

尹明汉 ;

李世宁 .

中国专利 :CN105555705B ,2016-05-04

[6]

制备硅纳米线阵列的方法 [P].

陶斯禄 ;

蒋一岚 ;

周春 .

中国专利 :CN102560493B ,2012-07-11

[7]

一种纳米线、其制备方法、包含该纳米线的比率型荧光化学传感器及应用 [P].

师文生 ;

陈敏 ;

穆丽璇 .

中国专利 :CN109897630A ,2019-06-18

[8]

有序硅纳米线阵列的制备方法 [P].

吴摞 ;

叶长辉 .

中国专利 :CN102642807A ,2012-08-22

[9]

一种用于检测次氯酸根的单根硅纳米线荧光化学传感器及其制备方法和应用 [P].

穆丽璇 ;

曹星星 ;

师文生 .

中国专利 :CN108913120B ,2018-11-30

[10]

对游离态铜离子和络合态铜离子具有选择性荧光响应的基于硅纳米线的荧光化学传感器 [P].

师文生 ;

苗荣 ;

穆丽璇 .

中国专利 :CN103712968B ,2014-04-09

← 1 2 3 4 5 →