光发射元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410076968.9

申请日：

2004-08-30

公开(公告)号：

CN100483783C

公开(公告)日：

2005-03-23

发明(设计)人：

坂田淳一郎村上雅一森谷幸司及川欣聪浅见勇臣大谷久

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L5152

IPC分类号：

H01L5156

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

项丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-03-23	公开	公开
2019-08-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/52 申请日:20040830 授权公告日:20090429 终止日期:20180830
2009-04-29	授权	授权

共 50 条

[1]

光发射装置及其制造方法和光发射元件 [P].

末広好伸 ;

田角浩二 .

中国专利 :CN100433383C ,2006-04-19

[2]

电子发射元件及其制造方法 [P].

村上胜久 ;

长尾昌善 .

中国专利 :CN115315773A ,2022-11-08

[3]

电子发射元件及其制造方法 [P].

平川弘幸 .

中国专利 :CN102222590B ,2011-10-19

[4]

电子发射元件及其制造方法 [P].

中松健一郎 ;

田口登喜生 ;

新川幸治 ;

高崎真苇 ;

岩松正 .

中国专利 :CN110323113B ,2019-10-11

[5]

电子发射元件及其制造方法 [P].

林秀和 ;

田口登喜生 ;

中松健一郎 ;

岩松正 ;

新川幸治 ;

高崎真苇 ;

金子俊博 ;

新纳厚志 .

中国专利 :CN110622275A ,2019-12-27

[6]

电子发射元件及其制造方法 [P].

村上俊介 .

中国专利 :CN101017755A ,2007-08-15

[7]

光发射装置及其制造方法 [P].

坂仓真之 ;

高桥修平 ;

池田佳寿子 ;

二村智哉 .

中国专利 :CN101515571B ,2009-08-26

[8]

光发射装置及其制造方法 [P].

坂仓真之 ;

高桥修平 ;

池田佳寿子 ;

二村智哉 .

中国专利 :CN1684557A ,2005-10-19

[9]

有机电致发光元件及其制造方法、光发射装置 [P].

冈田吉智 ;

高桥裕幸 .

中国专利 :CN102364716A ,2012-02-29

[10]

光发射元件 [P].

城岸直辉 ;

樱井淳 ;

村上朱实 ;

近藤崇 ;

早川纯一朗 .

中国专利 :CN107611778A ,2018-01-19

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