晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210141564.8

申请日：

2012-05-08

公开(公告)号：

CN103390558A

公开(公告)日：

2013-11-13

发明(设计)人：

宋化龙

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-07	授权	授权
2013-11-13	公开	公开
2013-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101550377457 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012101415648 申请日:20120508

共 50 条

[1]

晶体管的形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104217935A ,2014-12-17

[2]

晶体管的形成方法 [P].

谢欣云 ;

洪中山 .

中国专利 :CN104253047B ,2014-12-31

[3]

晶体管的形成方法，CMOS的形成方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103311184A ,2013-09-18

[4]

晶体管的形成方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103311122B ,2013-09-18

[5]

晶体管的形成方法 [P].

陈勇 .

中国专利 :CN103426754A ,2013-12-04

[6]

晶体管的形成方法 [P].

神兆旭 .

中国专利 :CN107039273B ,2017-08-11

[7]

晶体管的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105762079A ,2016-07-13

[8]

PMOS晶体管的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105244278A ,2016-01-13

[9]

MOS晶体管的形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104078358A ,2014-10-01

[10]

NMOS晶体管形成方法 [P].

甘正浩 ;

冯军宏 .

中国专利 :CN103000501B ,2013-03-27

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