NMOS晶体管形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110276316.X

申请日：

2011-09-16

公开(公告)号：

CN103000501B

公开(公告)日：

2013-03-27

发明(设计)人：

甘正浩冯军宏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101444321417 IPC(主分类):H01L 21/265 专利申请号:201110276316X 申请日:20110916
2015-07-08	授权	授权
2013-03-27	公开	公开

共 50 条

[1]

NMOS晶体管的形成方法 [P].

林仰魁 ;

陈志豪 ;

卢炯平 .

中国专利 :CN102646590B ,2012-08-22

[2]

NMOS晶体管的形成方法 [P].

杨勇胜 .

中国专利 :CN102074476B ,2011-05-25

[3]

NMOS晶体管及其形成方法、包括该NMOS晶体管的CMOS晶体管 [P].

何永根 .

中国专利 :CN103474351B ,2013-12-25

[4]

NMOS晶体管的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103839815B ,2014-06-04

[5]

NMOS晶体管形成方法及对应CMOS结构形成方法 [P].

甘正浩 ;

冯军宏 .

中国专利 :CN102800595B ,2012-11-28

[6]

NMOS晶体管及MOS晶体管的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103367155A ,2013-10-23

[7]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102931232A ,2013-02-13

[8]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102931233A ,2013-02-13

[9]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

王津洲 ;

赵猛 .

中国专利 :CN101312208A ,2008-11-26

[10]

晶体管的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103390558A ,2013-11-13

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