NMOS晶体管形成方法及对应CMOS结构形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110139434.6

申请日：

2011-05-26

公开(公告)号：

CN102800595B

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

甘正浩冯军宏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383319812 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011101394346 申请日:20110526
2015-03-11	授权	授权
2012-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

NMOS晶体管形成方法 [P].

甘正浩 ;

冯军宏 .

中国专利 :CN103000501B ,2013-03-27

[2]

NMOS晶体管及形成方法、CMOS结构及形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103515238A ,2014-01-15

[3]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

魏琰 .

中国专利 :CN104078359A ,2014-10-01

[4]

NMOS晶体管的形成方法 [P].

林仰魁 ;

陈志豪 ;

卢炯平 .

中国专利 :CN102646590B ,2012-08-22

[5]

NMOS晶体管的形成方法 [P].

杨勇胜 .

中国专利 :CN102074476B ,2011-05-25

[6]

NMOS晶体管结构及其形成方法 [P].

孟静 .

中国专利 :CN108133955B ,2018-06-08

[7]

NMOS晶体管及其形成方法、CMOS晶体管及其形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104124169B ,2014-10-29

[8]

NMOS晶体管的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103839815B ,2014-06-04

[9]

NMOS晶体管的形成方法 [P].

鲍宇 ;

张彬 .

中国专利 :CN102569090B ,2012-07-11

[10]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102800631B ,2012-11-28

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