共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
NMOS晶体管结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810017844.5
申请日：
2018-01-09
公开(公告)号：
CN108133955B
公开(公告)日：
2018-06-08
发明(设计)人：
孟静
申请人：
申请人地址：
211100 江苏省南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A2座(江宁开发区）
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2916
H01L2978
H01L21336
代理机构：
北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙) 11738
代理人：
黄锦阳
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-07-03 | 授权 | 授权 |
| 2022-11-25 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20221115 变更事项:专利权人 变更前权利人:南京芯长征科技有限公司 变更后权利人:江苏芯长征微电子集团股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:211100 江苏省南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A2座(江宁开发区） 变更后权利人:211100 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室（江宁开发区） 变更事项:专利权人 变更后权利人:南京芯长征科技有限公司 |
| 2020-06-02 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20200512 变更事项:申请人 变更前权利人:孟静 变更后权利人:南京芯长征科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:050000 河北省石家庄市裕华区槐北路416号40栋3单元602号 变更后权利人:211100 江苏省南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A2座(江宁开发区） |
| 2018-06-08 | 公开 | 公开 |
| 2018-07-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20180109 |