具有氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780021577.2

申请日：

2017-04-04

公开(公告)号：

CN108885972A

公开(公告)日：

2018-11-23

发明(设计)人：

秋山昌次

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

B23K2000 B23K2024 H01L21265 H01L21425 H01L2712 H01L41187 H01L41312

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204

代理人：

王达佐;洪欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170404
2018-11-23	公开	公开

共 50 条

[1]

具备氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法 [P].

秋山昌次 ;

川合信 .

中国专利 :CN107636801A ,2018-01-26

[2]

具备氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法 [P].

秋山昌次 ;

川合信 .

中国专利 :CN107615448B ,2018-01-19

[3]

具备氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法 [P].

秋山昌次 ;

川合信 .

中国专利 :CN107615449B ,2018-01-19

[4]

具备氧化物单晶薄膜的复合晶片及其制造方法 [P].

秋山昌次 ;

川合信 .

中国专利 :CN107636802B ,2018-01-26

[5]

复合氧化物单晶的制造方法 [P].

舟桥良次 ;

松原一郎 ;

鹿野昌弘 .

中国专利 :CN1520471A ,2004-08-11

[6]

复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法 [P].

胡文 .

中国专利 :CN105321806A ,2016-02-10

[7]

具有氧化物薄膜的结构及其制备方法 [P].

李东栋 ;

李敬业 ;

殷敏 ;

曹双迎 ;

鲁林峰 ;

方小红 ;

黄淳 ;

陈小源 .

中国专利 :CN109950134A ,2019-06-28

[8]

具有氧吸收释放能的复合氧化物及其制造方法 [P].

横井英雄 ;

室田忠俊 ;

藤原一仁 ;

竹森博文 .

中国专利 :CN1194625A ,1998-09-30

[9]

具有氧化物层的晶片的抛光系统 [P].

金圣教 .

中国专利 :CN207058321U ,2018-03-02

[10]

具有氧化物半导体薄膜层的层叠结构的制造方法 [P].

江端一晃 ;

笘井重和 ;

霍间勇辉 ;

松崎滋夫 ;

矢野公规 .

中国专利 :CN103400751A ,2013-11-20

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