具有氧化物层的晶片的抛光系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201621162037.5

申请日：

2016-10-25

公开(公告)号：

CN207058321U

公开(公告)日：

2018-03-02

发明(设计)人：

金圣教

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

B24B3704

IPC分类号：

B24B3734

代理机构：

北京鸿元知识产权代理有限公司 11327

代理人：

姜虎;陈英俊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-02	授权	授权

共 50 条

[1]

具有氧化物层的光伏装置 [P].

本雅明·布勒 ;

马库斯·格鲁艾克勒 ;

李青浩 ;

邵锐 ;

杨宇 ;

赵志波 .

中国专利 :CN103180962A ,2013-06-26

[2]

晶片的抛光控制方法及抛光系统 [P].

金圣教 .

中国专利 :CN108857859B ,2018-11-23

[3]

晶片抛光系统 [P].

郑加镇 ;

卢建平 .

中国专利 :CN210189428U ,2020-03-27

[4]

具有氧化物层叠光学层的背光单元 [P].

崔溶元 .

中国专利 :CN100523948C ,2007-07-18

[5]

具有氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法 [P].

秋山昌次 .

中国专利 :CN108885972A ,2018-11-23

[6]

具有氧化物切换层的忆阻器 [P].

葛宁 ;

杨建华 ;

李智勇 ;

M·张 ;

K·萨米尔斯 .

中国专利 :CN107155374A ,2017-09-12

[7]

具有氧化物穿孔连接的成像系统 [P].

S·伯萨克 ;

V·克洛伯夫 ;

M·塞弗里格 .

中国专利 :CN104882458A ,2015-09-02

[8]

带有氧化物层的基体及其制造方法 [P].

蛭间武彦 ;

冈东健 ;

秋田阳介 ;

户丸善宽 .

中国专利 :CN102026770A ,2011-04-20

[9]

具有氧化物半导体薄膜层的层叠结构的制造方法 [P].

江端一晃 ;

笘井重和 ;

霍间勇辉 ;

松崎滋夫 ;

矢野公规 .

中国专利 :CN103400751A ,2013-11-20

[10]

处理废水的有氧抛光系统 [P].

小哈里·L·纳斯 ;

西奥菲勒斯·B·特里三世 .

中国专利 :CN1253381C ,2004-03-17

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