具有氧化物切换层的忆阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480082396.7

申请日：

2014-09-30

公开(公告)号：

CN107155374A

公开(公告)日：

2017-09-12

发明(设计)人：

葛宁杨建华李智勇 M·张 K·萨米尔斯

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

黄涛;张涛

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/115 申请公布日:20170912
2017-09-12	公开	公开
2017-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101751634208 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2014800823967 申请日:20140930

共 50 条

[1]

一种叠层氧化物忆阻器的制备方法 [P].

蔡一茂 ;

吴林东 ;

王宗巍 ;

王源 ;

黄如 .

中国专利 :CN118890955A ,2024-11-01

[2]

一种插入储氧层的氧化物忆阻器 [P].

马海蛟 ;

李浩南 ;

王磊 .

中国专利 :CN118946256A ,2024-11-12

[3]

基于混合金属氧化物的忆阻器 [P].

安娜托里·帕罗维奇·埃里克娜 ;

安纳托利·谢尔盖耶维奇·巴图瑞 ;

伊琳娜·帕夫洛夫娜·格力盖尔 ;

斯维特拉娜·埃里克桑德洛娃·古德科娃 ;

安纳托利·米可哈洛维奇·马尔可夫 ;

安娜斯塔希亚·埃里克桑德洛娃·楚普里克 .

中国专利 :CN104054190B ,2014-09-17

[4]

具有氧化物层的光伏装置 [P].

本雅明·布勒 ;

马库斯·格鲁艾克勒 ;

李青浩 ;

邵锐 ;

杨宇 ;

赵志波 .

中国专利 :CN103180962A ,2013-06-26

[5]

基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件 [P].

T·S·格申 ;

K·W·布鲁 ;

S·辛格 ;

D·纽恩斯 .

中国专利 :CN110168761A ,2019-08-23

[6]

一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器 [P].

李玉霞 ;

袁方 ;

张鹏 ;

邓玥 ;

于相成 .

中国专利 :CN114512604A ,2022-05-17

[7]

具有氧化物层叠光学层的背光单元 [P].

崔溶元 .

中国专利 :CN100523948C ,2007-07-18

[8]

基于电压激励的氧化物忆阻器性能改善方法 [P].

马海蛟 ;

刘绍烜 ;

甘鑫 ;

张越影 ;

惠昱澎 ;

王磊 ;

朱江 ;

王钥绮 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN115579037A ,2023-01-06

[9]

具有氧化物层的晶片的抛光系统 [P].

金圣教 .

中国专利 :CN207058321U ,2018-03-02

[10]

一种银基氧化物涂层忆阻器 [P].

赵伟 ;

卢鑫 ;

赵娜 ;

何玉汝 .

中国专利 :CN117597017A ,2024-02-23

← 1 2 3 4 5 →