一种银基氧化物涂层忆阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311299314.1

申请日：

2023-10-09

公开(公告)号：

CN117597017A

公开(公告)日：

2024-02-23

发明(设计)人：

赵伟卢鑫赵娜何玉汝

申请人：

济源职业技术学院

申请人地址：

459003 河南省济源市济源大道88号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00

代理机构：

武汉泰羊专利代理事务所(普通合伙) 42294

代理人：

张恒

法律状态：

公开

国省代码：

河南省省直辖县级行政区划

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-23	公开	公开
2025-07-04	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回IPC(主分类):H10N 70/20申请公布日:20240223

共 50 条

[1]

一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器 [P].

李玉霞 ;

袁方 ;

张鹏 ;

邓玥 ;

于相成 .

中国专利 :CN114512604A ,2022-05-17

[2]

一种氧化镓忆阻器及其制备方法 [P].

张法碧 ;

刘志强 ;

周娟 ;

李海鸥 ;

孙堂友 ;

刘兴鹏 ;

王阳培华 ;

陈赞辉 ;

邓兴 ;

谢仕锋 ;

李跃 ;

杨万里 .

中国专利 :CN120018769A ,2025-05-16

[3]

一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 [P].

王敬蕊 ;

诸葛飞 ;

郑秀 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN107946459A ,2018-04-20

[4]

一种梯度金属氧化物忆阻器的制备方法 [P].

程传同 ;

陈弘达 ;

黄北举 ;

李刘杰 ;

曹峥宇 ;

丁可 ;

黄海鹏 .

中国专利 :CN112909165A ,2021-06-04

[5]

一种基于羽毛状多孔氧化物忆阻器 [P].

黄安平 ;

张静静 ;

高勤 .

中国专利 :CN113206191B ,2021-08-03

[6]

一种叠层氧化物忆阻器的制备方法 [P].

蔡一茂 ;

吴林东 ;

王宗巍 ;

王源 ;

黄如 .

中国专利 :CN118890955A ,2024-11-01

[7]

一种插入储氧层的氧化物忆阻器 [P].

马海蛟 ;

李浩南 ;

王磊 .

中国专利 :CN118946256A ,2024-11-12

[8]

一种基于熔洞状分级多孔氧化物忆阻器 [P].

黄安平 ;

高勤 ;

胡琪 .

中国专利 :CN110379920A ,2019-10-25

[9]

一种氧化物忆阻器及其集成方法 [P].

蔡一茂 ;

方亦陈 ;

王宗巍 ;

凌尧天 ;

肖韩 ;

黄如 .

中国专利 :CN109728160A ,2019-05-07

[10]

一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

岳建岭 ;

杨泽欧 ;

胡海龙 ;

黄小忠 .

中国专利 :CN115513370B ,2025-09-30

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