一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211359763.6

申请日：

2022-11-02

公开(公告)号：

CN115513370B

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

岳建岭杨泽欧胡海龙黄小忠

申请人：

中南大学

申请人地址：

410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

代理机构：

长沙瀚顿知识产权代理事务所(普通合伙) 43223

代理人：

吴亮;朱敏

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省长沙市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

岳建岭 ;

杨泽欧 ;

胡海龙 ;

黄小忠 .

中国专利 :CN115513370A ,2022-12-23

[2]

一种银基氧化物涂层忆阻器 [P].

赵伟 ;

卢鑫 ;

赵娜 ;

何玉汝 .

中国专利 :CN117597017A ,2024-02-23

[3]

一种高性能掺杂钛酸锶氧化物热电薄膜的制备方法 [P].

陈吉堃 ;

陈立东 ;

史迅 ;

姜勇 ;

仇鹏飞 ;

张天松 ;

陈宏毅 ;

郝峰 ;

江彬彬 ;

李宇龙 .

中国专利 :CN106784279A ,2017-05-31

[4]

透明金属氧化物钛酸锶镧薄膜的制备方法 [P].

李刚 ;

朱雪斌 ;

雷和畅 ;

张守宝 ;

朱相德 ;

宋文海 ;

杨昭荣 ;

戴建明 ;

孙玉平 .

中国专利 :CN101746960B ,2010-06-23

[5]

一种金属氧化物/金属卤化物复合薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

邵赫 ;

刘犇鑫 ;

明建宇 ;

孙晋涛 ;

凌海峰 .

中国专利 :CN118647257A ,2024-09-13

[6]

一种钛酸锶/钌酸锶铁电超晶格薄膜材料及其制备方法 [P].

王占杰 .

中国专利 :CN110643948A ,2020-01-03

[7]

一种氧化钛薄膜忆阻器制备方法 [P].

周梨 ;

钟志亲 ;

王姝娅 .

中国专利 :CN110993788A ,2020-04-10

[8]

一种超晶格忆阻器功能层材料、忆阻器单元及其制备方法 [P].

王兴晟 ;

王成旭 ;

缪向水 .

中国专利 :CN111009609B ,2020-04-14

[9]

一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 [P].

王敬蕊 ;

诸葛飞 ;

郑秀 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN107946459A ,2018-04-20

[10]

一种梯度金属氧化物忆阻器的制备方法 [P].

程传同 ;

陈弘达 ;

黄北举 ;

李刘杰 ;

曹峥宇 ;

丁可 ;

黄海鹏 .

中国专利 :CN112909165A ,2021-06-04

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