一种基于熔洞状分级多孔氧化物忆阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910510270.X

申请日：

2019-06-13

公开(公告)号：

CN110379920A

公开(公告)日：

2019-10-25

发明(设计)人：

黄安平高勤胡琪

申请人：

申请人地址：

100191 北京市海淀区学院路37号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G11C1156

代理机构：

北京慧泉知识产权代理有限公司 11232

代理人：

王顺荣;唐爱华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-25	公开	公开
2021-11-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 45/00 申请公布日:20191025
2019-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190613

共 50 条

[1]

一种基于羽毛状多孔氧化物忆阻器 [P].

黄安平 ;

张静静 ;

高勤 .

中国专利 :CN113206191B ,2021-08-03

[2]

一种银基氧化物涂层忆阻器 [P].

赵伟 ;

卢鑫 ;

赵娜 ;

何玉汝 .

中国专利 :CN117597017A ,2024-02-23

[3]

一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器 [P].

黄安平 ;

张新江 .

中国专利 :CN109148683B ,2019-01-04

[4]

基于混合金属氧化物的忆阻器 [P].

安娜托里·帕罗维奇·埃里克娜 ;

安纳托利·谢尔盖耶维奇·巴图瑞 ;

伊琳娜·帕夫洛夫娜·格力盖尔 ;

斯维特拉娜·埃里克桑德洛娃·古德科娃 ;

安纳托利·米可哈洛维奇·马尔可夫 ;

安娜斯塔希亚·埃里克桑德洛娃·楚普里克 .

中国专利 :CN104054190B ,2014-09-17

[5]

基于电压激励的氧化物忆阻器性能改善方法 [P].

马海蛟 ;

刘绍烜 ;

甘鑫 ;

张越影 ;

惠昱澎 ;

王磊 ;

朱江 ;

王钥绮 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN115579037A ,2023-01-06

[6]

一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 [P].

王敬蕊 ;

诸葛飞 ;

郑秀 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN107946459A ,2018-04-20

[7]

一种梯度金属氧化物忆阻器的制备方法 [P].

程传同 ;

陈弘达 ;

黄北举 ;

李刘杰 ;

曹峥宇 ;

丁可 ;

黄海鹏 .

中国专利 :CN112909165A ,2021-06-04

[8]

一种叠层氧化物忆阻器的制备方法 [P].

蔡一茂 ;

吴林东 ;

王宗巍 ;

王源 ;

黄如 .

中国专利 :CN118890955A ,2024-11-01

[9]

一种插入储氧层的氧化物忆阻器 [P].

马海蛟 ;

李浩南 ;

王磊 .

中国专利 :CN118946256A ,2024-11-12

[10]

基于异质结氧化物的忆阻元件 [P].

杨建华 ;

M·M·张 ;

S·R·威廉姆斯 .

中国专利 :CN103890943A ,2014-06-25

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