基于异质结氧化物的忆阻元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180074219.0

申请日：

2011-10-21

公开(公告)号：

CN103890943A

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

杨建华 M·M·张 S·R·威廉姆斯

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

韩宏;陈松涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-25	公开	公开
2016-08-31	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738297144 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2011800742190 登记生效日:20160811 变更事项:申请人变更前权利人:惠普发展公司,有限责任合伙企业变更后权利人:慧与发展有限责任合伙企业变更事项:地址变更前权利人:美国德克萨斯变更后权利人:美国德克萨斯州
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583883977 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2011800742190 申请日:20111021
2021-10-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20111021 授权公告日:20160928 终止日期:20201021
2016-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器 [P].

黄安平 ;

张新江 .

中国专利 :CN109148683B ,2019-01-04

[2]

基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件 [P].

T·S·格申 ;

K·W·布鲁 ;

S·辛格 ;

D·纽恩斯 .

中国专利 :CN110168761A ,2019-08-23

[3]

基于混合金属氧化物的忆阻器 [P].

安娜托里·帕罗维奇·埃里克娜 ;

安纳托利·谢尔盖耶维奇·巴图瑞 ;

伊琳娜·帕夫洛夫娜·格力盖尔 ;

斯维特拉娜·埃里克桑德洛娃·古德科娃 ;

安纳托利·米可哈洛维奇·马尔可夫 ;

安娜斯塔希亚·埃里克桑德洛娃·楚普里克 .

中国专利 :CN104054190B ,2014-09-17

[4]

一种基于氧化物异质结的视觉适应光电忆阻器及其制备方法 [P].

林亚 ;

孙久龙 ;

王中强 ;

徐海阳 ;

刘益春 .

中国专利 :CN119768040A ,2025-04-04

[5]

基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法 [P].

马海蛟 ;

王磊 ;

朱江 ;

王钥绮 ;

张越影 ;

刘绍烜 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN116806117B ,2024-02-06

[6]

一种高熵氧化物/氧化钨异质结忆阻器及方法和应用 [P].

朱媛媛 ;

李志豪 ;

张苗 ;

王红军 ;

罗道斌 ;

王有庆 ;

周静 .

中国专利 :CN120302874A ,2025-07-11

[7]

异质结氧化物非易失性存储器装置 [P].

东敏·陈 .

中国专利 :CN102365746B ,2012-02-29

[8]

基于电压激励的氧化物忆阻器性能改善方法 [P].

马海蛟 ;

刘绍烜 ;

甘鑫 ;

张越影 ;

惠昱澎 ;

王磊 ;

朱江 ;

王钥绮 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN115579037A ,2023-01-06

[9]

一种基于羽毛状多孔氧化物忆阻器 [P].

黄安平 ;

张静静 ;

高勤 .

中国专利 :CN113206191B ,2021-08-03

[10]

基于镍基氧化物异质结的光控阻变存储器、制备方法及应用 [P].

刘明 ;

胡忠强 ;

赵亚楠 ;

周子聪 .

中国专利 :CN118946251A ,2024-11-12

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