基于异质结氧化物的忆阻元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180074219.0

申请日：

2011-10-21

公开(公告)号：

CN103890943A

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

杨建华 M·M·张 S·R·威廉姆斯

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

韩宏;陈松涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-25	公开	公开
2016-08-31	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738297144 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2011800742190 登记生效日:20160811 变更事项:申请人变更前权利人:惠普发展公司,有限责任合伙企业变更后权利人:慧与发展有限责任合伙企业变更事项:地址变更前权利人:美国德克萨斯变更后权利人:美国德克萨斯州
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583883977 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2011800742190 申请日:20111021
2021-10-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20111021 授权公告日:20160928 终止日期:20201021
2016-09-28	授权	授权

共 50 条

[11]

具有氧化物切换层的忆阻器 [P].

葛宁 ;

杨建华 ;

李智勇 ;

M·张 ;

K·萨米尔斯 .

中国专利 :CN107155374A ,2017-09-12

[12]

基于金属氧化物纳米柱通道的忆阻器、系统及其制备方法 [P].

熊诗圣 ;

周竞 .

中国专利 :CN118632618A ,2024-09-10

[13]

一种基于熔洞状分级多孔氧化物忆阻器 [P].

黄安平 ;

高勤 ;

胡琪 .

中国专利 :CN110379920A ,2019-10-25

[14]

基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器及制备方法 [P].

叶建东 ;

张彦芳 ;

任芳芳 ;

朱顺明 ;

汤琨 ;

顾书林 ;

张荣 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN106645323B ,2017-05-10

[15]

一种梯度金属氧化物忆阻器的制备方法 [P].

程传同 ;

陈弘达 ;

黄北举 ;

李刘杰 ;

曹峥宇 ;

丁可 ;

黄海鹏 .

中国专利 :CN112909165A ,2021-06-04

[16]

基于金属氧化物氧浓度梯度的高性能忆阻器件及其制备 [P].

孙华军 ;

王标 ;

李兆男 ;

缪向水 .

中国专利 :CN108807668A ,2018-11-13

[17]

快速寻找最佳合金氧化物忆阻材料的方法 [P].

程传同 ;

李刘杰 ;

陈弘达 ;

黄北举 .

中国专利 :CN113054103A ,2021-06-29

[18]

快速寻找最佳合金氧化物忆阻材料的方法 [P].

程传同 ;

李刘杰 ;

陈弘达 ;

黄北举 .

中国专利 :CN113054103B ,2024-01-23

[19]

一种钙钛矿氧化物异质结材料及制备方法 [P].

周峻 ;

朱子河 ;

吴锴 ;

李晴皓 .

中国专利 :CN115672339A ,2023-02-03

[20]

金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管及其制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

刘伊娜 ;

杨莉 .

中国专利 :CN112885911A ,2021-06-01

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