金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110141958.2

申请日：

2021-02-02

公开(公告)号：

CN112885911A

公开(公告)日：

2021-06-01

发明(设计)人：

刘启晗赵春赵策洲刘伊娜杨莉

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号

IPC主分类号：

H01L31032

IPC分类号：

H01L310352 H01L31113 H01L3118

代理机构：

苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295

代理人：

叶栋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/032 申请日:20210202
2021-06-01	公开	公开
2022-09-27	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 31/032 申请公布日:20210601

共 50 条

[1]

非易失性氧化物异质结突触晶体管及其制备方法 [P].

朱力 ;

丁嘉豪 ;

丁志浩 .

中国专利 :CN120187277A ,2025-06-20

[2]

非易失性氧化物异质结突触晶体管及其制备方法 [P].

朱力 ;

丁嘉豪 ;

于志浩 .

中国专利 :CN120187277B ,2025-08-22

[3]

双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

王琦男 .

中国专利 :CN110137247A ,2019-08-16

[4]

光电仿生突触晶体管及其制备方法和器件 [P].

赵春 ;

刘启晗 .

中国专利 :CN115498053A ,2022-12-20

[5]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

彭俊彪 ;

兰林锋 ;

徐苗 ;

徐瑞霞 ;

王磊 ;

许伟 .

中国专利 :CN101872787A ,2010-10-27

[6]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

王琦男 .

中国专利 :CN109767988A ,2019-05-17

[7]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

张其国 ;

汪梅林 ;

韩学斌 ;

朱棋锋 ;

申剑锋 .

中国专利 :CN102437194A ,2012-05-02

[8]

突触晶体管及其制备方法 [P].

潘婷 ;

刘锴 ;

张跃钢 .

中国专利 :CN120187059A ,2025-06-20

[9]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

贺家煜 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

黄杰 ;

赵坤 ;

姚念琦 .

中国专利 :CN113809182A ,2021-12-17

[10]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 [P].

何佳新 .

中国专利 :CN112420849B ,2024-08-20

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