双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910292495.2

申请日：

2019-04-12

公开(公告)号：

CN110137247A

公开(公告)日：

2019-08-16

发明(设计)人：

刘启晗赵春赵策洲杨莉王琦男

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路111号

IPC主分类号：

H01L2941

IPC分类号：

H01L21336 H01L29786

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

范晴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	公开	公开
2019-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/41 申请日:20190412

共 50 条

[1]

一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管及制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 .

中国专利 :CN110137262A ,2019-08-16

[2]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

王琦男 .

中国专利 :CN109767988A ,2019-05-17

[3]

一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 .

中国专利 :CN209747522U ,2019-12-06

[4]

一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管 [P].

林宏达 ;

孙曾平 ;

王科 .

中国专利 :CN218039221U ,2022-12-13

[5]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

林振国 .

中国专利 :CN103794652A ,2014-05-14

[6]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

钟德镇 ;

邵金凤 ;

戴文君 .

中国专利 :CN103579361A ,2014-02-12

[7]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张宁 .

中国专利 :CN108598171A ,2018-09-28

[8]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金光淑 ;

金民圭 .

中国专利 :CN102097487A ,2011-06-15

[9]

互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

苏宇永 .

中国专利 :CN1222039C ,2003-07-23

[10]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法 [P].

简廷宪 ;

钟德镇 ;

吴婷婷 ;

戴文君 .

中国专利 :CN103824887B ,2014-05-28

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