基于异质结氧化物的忆阻元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180074219.0

申请日：

2011-10-21

公开(公告)号：

CN103890943A

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

杨建华 M·M·张 S·R·威廉姆斯

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

韩宏;陈松涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-25	公开	公开
2016-08-31	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738297144 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2011800742190 登记生效日:20160811 变更事项:申请人变更前权利人:惠普发展公司,有限责任合伙企业变更后权利人:慧与发展有限责任合伙企业变更事项:地址变更前权利人:美国德克萨斯变更后权利人:美国德克萨斯州
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583883977 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2011800742190 申请日:20111021
2021-10-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20111021 授权公告日:20160928 终止日期:20201021
2016-09-28	授权	授权

共 50 条

[41]

一种基于钛氧化物忆阻器的模拟信号变换电路 [P].

吴笛 ;

苏晓雨 ;

田晓波 ;

葛运龙 ;

尹文刚 ;

张静 ;

黄正兴 .

中国专利 :CN209015150U ,2019-06-21

[42]

基于铟铝锌氧化物的神经形态忆阻器、制备方法及设备 [P].

钱凯 ;

许艺萌 ;

冯先进 ;

徐伟东 ;

韩旭 .

中国专利 :CN116209344B ,2025-11-25

[43]

一种纳米三金属氧化物异质结材料、其制备方法及应用 [P].

孙念荣 ;

邓春晖 ;

姚群燕 ;

史芳瑛 .

中国专利 :CN116947116B ,2025-10-14

[44]

木质素衍生碳-合金-金属氧化物异质结催化剂及其制备方法 [P].

钱光付 ;

王云鹏 ;

陈金丽 ;

余辉 ;

谢泽翰 ;

许浩田 ;

李镰岑 ;

曹欣雨 ;

李佳蔚 ;

闵斗勇 ;

陈昌洲 ;

张如玉 ;

许以昊 .

中国专利 :CN119433594B ,2025-10-17

[45]

金属氧化物异质结催化剂及其制备方法和产双氧水应用 [P].

孙涛 ;

师璐 ;

苗慧 ;

高婷 ;

刘恩周 .

中国专利 :CN120330791A ,2025-07-18

[46]

一种基于CMOS工艺平台的氧化物忆阻器及其制备方法 [P].

蔡一茂 ;

凌尧天 ;

王宗巍 ;

方亦陈 ;

肖韩 ;

黄如 .

中国专利 :CN109728161B ,2019-05-07

[47]

木质素衍生碳-合金-金属氧化物异质结催化剂及其制备方法 [P].

钱光付 ;

王云鹏 ;

陈金丽 ;

余辉 ;

谢泽翰 ;

许浩田 ;

李镰岑 ;

曹欣雨 ;

李佳蔚 ;

闵斗勇 ;

陈昌洲 ;

张如玉 ;

许以昊 .

中国专利 :CN119433594A ,2025-02-14

[48]

一种氧化铈/氧化铜异质结复合氧化物及其制备方法和应用 [P].

刘克成 ;

张立军 ;

马慧芳 ;

王艳 ;

孟立会 .

中国专利 :CN109107358B ,2019-01-01

[49]

一种氧化物忆阻器及其集成方法 [P].

蔡一茂 ;

方亦陈 ;

王宗巍 ;

凌尧天 ;

肖韩 ;

黄如 .

中国专利 :CN109728160A ,2019-05-07

[50]

氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件、电子装置及氧化物层的制造方法和半导体元件的制造方法 [P].

下田达也 ;

井上聪 ;

深田和宏 ;

西冈圣司 ;

藤本信贵 ;

铃木正博 .

中国专利 :CN107004606A ,2017-08-01

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