一种基于钛氧化物忆阻器的模拟信号变换电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201822057415.9

申请日：

2018-12-07

公开(公告)号：

CN209015150U

公开(公告)日：

2019-06-21

发明(设计)人：

吴笛苏晓雨田晓波葛运龙尹文刚张静黄正兴

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市双流县华阳警校路一段489号

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

代理机构：

成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220

代理人：

梁田

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-21	授权	授权
2020-11-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20181207 授权公告日:20190621 终止日期:20191207

共 50 条

[1]

一种基于钛氧化物忆阻器的基本逻辑门电路 [P].

田晓波 ;

苏晓雨 ;

吴笛 ;

葛运龙 ;

尹文刚 ;

张静 ;

黄正兴 .

中国专利 :CN209265439U ,2019-08-16

[2]

基于混合金属氧化物的忆阻器 [P].

安娜托里·帕罗维奇·埃里克娜 ;

安纳托利·谢尔盖耶维奇·巴图瑞 ;

伊琳娜·帕夫洛夫娜·格力盖尔 ;

斯维特拉娜·埃里克桑德洛娃·古德科娃 ;

安纳托利·米可哈洛维奇·马尔可夫 ;

安娜斯塔希亚·埃里克桑德洛娃·楚普里克 .

中国专利 :CN104054190B ,2014-09-17

[3]

一种基于羽毛状多孔氧化物忆阻器 [P].

黄安平 ;

张静静 ;

高勤 .

中国专利 :CN113206191B ,2021-08-03

[4]

一种银基氧化物涂层忆阻器 [P].

赵伟 ;

卢鑫 ;

赵娜 ;

何玉汝 .

中国专利 :CN117597017A ,2024-02-23

[5]

基于电压激励的氧化物忆阻器性能改善方法 [P].

马海蛟 ;

刘绍烜 ;

甘鑫 ;

张越影 ;

惠昱澎 ;

王磊 ;

朱江 ;

王钥绮 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN115579037A ,2023-01-06

[6]

一种基于忆阻器的混沌信号产生电路 [P].

崔力 ;

欧青立 ;

雷志明 .

中国专利 :CN204721366U ,2015-10-21

[7]

具有氧化物切换层的忆阻器 [P].

葛宁 ;

杨建华 ;

李智勇 ;

M·张 ;

K·萨米尔斯 .

中国专利 :CN107155374A ,2017-09-12

[8]

一种基于CMOS工艺的氧化物忆阻器及其制备方法 [P].

王宗巍 ;

蔡一茂 ;

方亦陈 ;

凌尧天 ;

肖韩 ;

黄如 .

中国专利 :CN109994604A ,2019-07-09

[9]

基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法 [P].

马海蛟 ;

王磊 ;

朱江 ;

王钥绮 ;

张越影 ;

刘绍烜 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN116806117B ,2024-02-06

[10]

一种基于熔洞状分级多孔氧化物忆阻器 [P].

黄安平 ;

高勤 ;

胡琪 .

中国专利 :CN110379920A ,2019-10-25

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