基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310971397.8

申请日：

2023-08-03

公开(公告)号：

CN116806117B

公开(公告)日：

2024-02-06

发明(设计)人：

马海蛟王磊朱江王钥绮张越影刘绍烜张进成郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

陈宏社

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-06	授权	授权

共 50 条

[1]

基于混合金属氧化物的忆阻器 [P].

安娜托里·帕罗维奇·埃里克娜 ;

安纳托利·谢尔盖耶维奇·巴图瑞 ;

伊琳娜·帕夫洛夫娜·格力盖尔 ;

斯维特拉娜·埃里克桑德洛娃·古德科娃 ;

安纳托利·米可哈洛维奇·马尔可夫 ;

安娜斯塔希亚·埃里克桑德洛娃·楚普里克 .

中国专利 :CN104054190B ,2014-09-17

[2]

一种梯度金属氧化物忆阻器的制备方法 [P].

程传同 ;

陈弘达 ;

黄北举 ;

李刘杰 ;

曹峥宇 ;

丁可 ;

黄海鹏 .

中国专利 :CN112909165A ,2021-06-04

[3]

基于金属氧化物纳米柱通道的忆阻器、系统及其制备方法 [P].

熊诗圣 ;

周竞 .

中国专利 :CN118632618A ,2024-09-10

[4]

一种叠层氧化物忆阻器的制备方法 [P].

蔡一茂 ;

吴林东 ;

王宗巍 ;

王源 ;

黄如 .

中国专利 :CN118890955A ,2024-11-01

[5]

基于异质结氧化物的忆阻元件 [P].

杨建华 ;

M·M·张 ;

S·R·威廉姆斯 .

中国专利 :CN103890943A ,2014-06-25

[6]

基于电压激励的氧化物忆阻器性能改善方法 [P].

马海蛟 ;

刘绍烜 ;

甘鑫 ;

张越影 ;

惠昱澎 ;

王磊 ;

朱江 ;

王钥绮 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN115579037A ,2023-01-06

[7]

基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件 [P].

T·S·格申 ;

K·W·布鲁 ;

S·辛格 ;

D·纽恩斯 .

中国专利 :CN110168761A ,2019-08-23

[8]

一种基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器及其制备方法和应用 [P].

王红军 ;

王永庆 ;

朱媛媛 ;

张云飞 .

中国专利 :CN118946246A ,2024-11-12

[9]

一种基于CMOS工艺的氧化物忆阻器及其制备方法 [P].

王宗巍 ;

蔡一茂 ;

方亦陈 ;

凌尧天 ;

肖韩 ;

黄如 .

中国专利 :CN109994604A ,2019-07-09

[10]

一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 [P].

王敬蕊 ;

诸葛飞 ;

郑秀 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN107946459A ,2018-04-20

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