一种高熵氧化物/氧化钨异质结忆阻器及方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510440691.5

申请日：

2025-04-09

公开(公告)号：

CN120302874A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

朱媛媛李志豪张苗王红军罗道斌王有庆周静

申请人：

陕西科技大学

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20 H10B63/00 C23C14/35 C23C14/30 C23C14/24 C23C14/28 C23C14/08

代理机构：

北京中巡通大知识产权代理有限公司 11703

代理人：

王霞

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	公开	公开
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20250409

共 50 条

[1]

一种基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器及其制备方法和应用 [P].

王红军 ;

王永庆 ;

朱媛媛 ;

张云飞 .

中国专利 :CN118946246A ,2024-11-12

[2]

一种非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器及制备方法和应用 [P].

王红军 ;

张苗 ;

朱媛媛 ;

张云飞 ;

王鑫 ;

周静 .

中国专利 :CN119789774A ,2025-04-08

[3]

一种具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器及其制备方法 [P].

朱媛媛 ;

吴春扬 ;

王红军 ;

陈梦瑶 .

中国专利 :CN118946247A ,2024-11-12

[4]

基于异质结氧化物的忆阻元件 [P].

杨建华 ;

M·M·张 ;

S·R·威廉姆斯 .

中国专利 :CN103890943A ,2014-06-25

[5]

生产氧化钨和钨混合氧化物的方法 [P].

S·卡图希奇 ;

P·克雷斯 ;

H·阿尔夫 ;

A·维甘德 ;

M·哈格曼 .

中国专利 :CN109071261A ,2018-12-21

[6]

一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器 [P].

黄安平 ;

张新江 .

中国专利 :CN109148683B ,2019-01-04

[7]

一种稀土元素掺杂非晶氧化钨薄膜的模拟忆阻器及其制备方法 [P].

朱媛媛 ;

杨梓怡 ;

王红军 ;

陈梦瑶 .

中国专利 :CN118946248A ,2024-11-12

[8]

一种氧化钨基同质结光电忆阻器的制备及网络入侵检测方法 [P].

阚皞 ;

郭子龙 ;

杨文豪 ;

李阳 ;

张春伟 ;

高嵩 .

中国专利 :CN118574506A ,2024-08-30

[9]

一种氧化物忆阻器及其集成方法 [P].

蔡一茂 ;

方亦陈 ;

王宗巍 ;

凌尧天 ;

肖韩 ;

黄如 .

中国专利 :CN109728160A ,2019-05-07

[10]

一种具有异质结的高熵氧化物的制备方法 [P].

肖彬 ;

吴刚 ;

谢泽林 ;

魏镇港 ;

隋艳伟 ;

委福祥 ;

戚继球 .

中国专利 :CN117658220A ,2024-03-08

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