一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810888810.3

申请日：

2018-08-07

公开(公告)号：

CN109148683B

公开(公告)日：

2019-01-04

发明(设计)人：

黄安平张新江

申请人：

申请人地址：

100191 北京市海淀区学院路37号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

北京慧泉知识产权代理有限公司 11232

代理人：

王顺荣;唐爱华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20180807
2020-07-07	授权	授权
2019-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

基于异质结氧化物的忆阻元件 [P].

杨建华 ;

M·M·张 ;

S·R·威廉姆斯 .

中国专利 :CN103890943A ,2014-06-25

[2]

一种基于范德华异质结的光电忆阻器及其制备方法 [P].

王宏 ;

闫小兵 ;

王淑芳 ;

杨佳良 .

中国专利 :CN117580441A ,2024-02-20

[3]

一种基于氧化物异质结的视觉适应光电忆阻器及其制备方法 [P].

林亚 ;

孙久龙 ;

王中强 ;

徐海阳 ;

刘益春 .

中国专利 :CN119768040A ,2025-04-04

[4]

一种基于羽毛状多孔氧化物忆阻器 [P].

黄安平 ;

张静静 ;

高勤 .

中国专利 :CN113206191B ,2021-08-03

[5]

一种高熵氧化物/氧化钨异质结忆阻器及方法和应用 [P].

朱媛媛 ;

李志豪 ;

张苗 ;

王红军 ;

罗道斌 ;

王有庆 ;

周静 .

中国专利 :CN120302874A ,2025-07-11

[6]

一种黑磷-二维电子气异质结忆阻器及其制备方法 [P].

姜昱丞 ;

马兴龙 ;

高炬 .

中国专利 :CN113725358A ,2021-11-30

[7]

一种基于熔洞状分级多孔氧化物忆阻器 [P].

黄安平 ;

高勤 ;

胡琪 .

中国专利 :CN110379920A ,2019-10-25

[8]

一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用 [P].

解令海 ;

鞠若麟 ;

仪明东 ;

马可 ;

陈叶 ;

黄维 .

中国专利 :CN110289350B ,2019-09-27

[9]

一种银基氧化物涂层忆阻器 [P].

赵伟 ;

卢鑫 ;

赵娜 ;

何玉汝 .

中国专利 :CN117597017A ,2024-02-23

[10]

基于混合金属氧化物的忆阻器 [P].

安娜托里·帕罗维奇·埃里克娜 ;

安纳托利·谢尔盖耶维奇·巴图瑞 ;

伊琳娜·帕夫洛夫娜·格力盖尔 ;

斯维特拉娜·埃里克桑德洛娃·古德科娃 ;

安纳托利·米可哈洛维奇·马尔可夫 ;

安娜斯塔希亚·埃里克桑德洛娃·楚普里克 .

中国专利 :CN104054190B ,2014-09-17

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