一种基于氧化物异质结的视觉适应光电忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411856563.0

申请日：

2024-12-17

公开(公告)号：

CN119768040A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

林亚孙久龙王中强徐海阳刘益春

申请人：

东北师范大学

申请人地址：

130024 吉林省长春市南关区人民大街5268号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00

代理机构：

长春市东师专利事务所(普通合伙) 22202

代理人：

张铁生

法律状态：

公开

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20241217

共 50 条

[1]

基于异质结氧化物的忆阻元件 [P].

杨建华 ;

M·M·张 ;

S·R·威廉姆斯 .

中国专利 :CN103890943A ,2014-06-25

[2]

一种基于范德华异质结的光电忆阻器及其制备方法 [P].

王宏 ;

闫小兵 ;

王淑芳 ;

杨佳良 .

中国专利 :CN117580441A ,2024-02-20

[3]

一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器 [P].

黄安平 ;

张新江 .

中国专利 :CN109148683B ,2019-01-04

[4]

一种有机半导体异质结光电自适应忆阻器及其制备方法 [P].

李雯 ;

崔子枫 ;

陈叶 ;

仪明东 .

中国专利 :CN120916569A ,2025-11-07

[5]

一种光电忆阻器阵列的制备方法及其光电忆阻器阵列的应用 [P].

赵乐 ;

郑立梅 ;

房红 .

中国专利 :CN119768038A ,2025-04-04

[6]

基于叶绿素衍生物异质结的全光调制光电忆阻器及其制备方法 [P].

王晓峰 ;

蒋健 ;

于大明 ;

朱子墨 ;

唐浩然 .

中国专利 :CN118900573A ,2024-11-05

[7]

一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 [P].

王敬蕊 ;

诸葛飞 ;

郑秀 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN107946459A ,2018-04-20

[8]

一种梯度金属氧化物忆阻器的制备方法 [P].

程传同 ;

陈弘达 ;

黄北举 ;

李刘杰 ;

曹峥宇 ;

丁可 ;

黄海鹏 .

中国专利 :CN112909165A ,2021-06-04

[9]

一种叠层氧化物忆阻器的制备方法 [P].

蔡一茂 ;

吴林东 ;

王宗巍 ;

王源 ;

黄如 .

中国专利 :CN118890955A ,2024-11-01

[10]

一种基于二维材料的异质结忆阻器及其制备方法 [P].

孙堂友 ;

谭振强 ;

李建华 ;

李海鸥 ;

陈赞辉 ;

邓兴 ;

张法碧 .

中国专利 :CN119744114A ,2025-04-01

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