一种有机半导体异质结光电自适应忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511094679.X

申请日：

2025-08-06

公开(公告)号：

CN120916569A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

李雯崔子枫陈叶仪明东

申请人：

南京邮电大学

申请人地址：

210023 江苏省南京市栖霞区文苑路9号

IPC主分类号：

H10K30/20

IPC分类号：

H10K30/60 H10K71/00 H10K85/30 H10K85/60

代理机构：

南京业腾知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32321

代理人：

马静静

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开
2025-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 30/20申请日:20250806

共 50 条

[1]

一种基于范德华异质结的光电忆阻器及其制备方法 [P].

王宏 ;

闫小兵 ;

王淑芳 ;

杨佳良 .

中国专利 :CN117580441A ,2024-02-20

[2]

一种硫化镉/有机半导体异质结纳米线及其制备方法 [P].

郭彦炳 ;

刘辉彪 ;

李玉良 .

中国专利 :CN101345290A ,2009-01-14

[3]

一种高性能钙钛矿/有机半导体异质结型光电探测器 [P].

詹义强 ;

袁斯建 .

中国专利 :CN108365099A ,2018-08-03

[4]

一种宽禁带半导体钙钛矿异质结忆阻器及其制备方法 [P].

孙蕊 ;

贾玉萍 ;

黎大兵 ;

孙晓娟 ;

吕顺鹏 ;

刘明睿 ;

蒋科 ;

王炳翔 ;

梁岷川 .

中国专利 :CN120835744A ,2025-10-24

[5]

一种有机半导体异质结光子突触晶体管及其制备方法 [P].

李佳钰 ;

钱扬周 ;

冯姿祎 ;

仪明东 ;

赵强 .

中国专利 :CN120201845B ,2025-08-08

[6]

一种有机半导体异质结光子突触晶体管及其制备方法 [P].

李佳钰 ;

钱扬周 ;

冯姿祎 ;

仪明东 ;

赵强 .

中国专利 :CN120201845A ,2025-06-24

[7]

一种基于氧化物异质结的视觉适应光电忆阻器及其制备方法 [P].

林亚 ;

孙久龙 ;

王中强 ;

徐海阳 ;

刘益春 .

中国专利 :CN119768040A ,2025-04-04

[8]

一种光电忆阻器阵列的制备方法及其光电忆阻器阵列的应用 [P].

赵乐 ;

郑立梅 ;

房红 .

中国专利 :CN119768038A ,2025-04-04

[9]

半导体复合异质结光电极及其制备方法 [P].

孟林兴 ;

田维 ;

李亮 .

中国专利 :CN108389727B ,2018-08-10

[10]

一种异质结半导体光电探测器及其制备方法 [P].

雷双瑛 ;

江源长 ;

洪嘉祥 ;

陈洁 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN113140648B ,2021-07-20

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