基于镍基氧化物异质结的光控阻变存储器、制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411033975.4

申请日：

2024-07-30

公开(公告)号：

CN118946251A

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

刘明胡忠强赵亚楠周子聪

申请人：

西安交通大学

申请人地址：

710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20 H10B63/00 H10K39/30

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

朱海临

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-12	公开	公开
2024-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20240730

共 50 条

[1]

异质结阻变存储器及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

董林鹏 ;

栾苏珍 ;

庞体强 ;

张玉明 ;

汪钰成 ;

刘银涛 .

中国专利 :CN107437584B ,2017-12-05

[2]

异质结氧化物非易失性存储器装置 [P].

东敏·陈 .

中国专利 :CN102365746B ,2012-02-29

[3]

阻变存储器中钨氧化物变阻材料的制备方法 [P].

许毅胜 ;

熊涛 ;

陈广龙 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103794718A ,2014-05-14

[4]

金属氧化物阻变存储器及制造方法 [P].

陈广龙 ;

唐立文 ;

陈昊瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103094301B ,2013-05-08

[5]

阻变存储器的制备方法及阻变存储器 [P].

刘力锋 ;

于迪 ;

陈冰 ;

王琰 ;

傅亦晗 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

刘晓彦 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN102655211B ,2012-09-05

[6]

阻变存储器的制备方法及阻变存储器 [P].

王晨 ;

蔡秉锜 ;

陈鲲 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN120882005A ,2025-10-31

[7]

一种具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器及其制备方法 [P].

朱媛媛 ;

吴春扬 ;

王红军 ;

陈梦瑶 .

中国专利 :CN118946247A ,2024-11-12

[8]

氧化物基阻变存储器的优化方法、保持性检测方法及装置 [P].

许晓欣 ;

郑旭 ;

董大年 ;

杨建国 ;

易海兰 ;

孙文绚 ;

赖锦茹 .

中国专利 :CN119889389A ,2025-04-25

[9]

阻变存储器中金属氧化物层的形成方法 [P].

吴华强 ;

白越 ;

吴明昊 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103325941B ,2013-09-25

[10]

基于异质结氧化物的忆阻元件 [P].

杨建华 ;

M·M·张 ;

S·R·威廉姆斯 .

中国专利 :CN103890943A ,2014-06-25

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