氧化物基阻变存储器的优化方法、保持性检测方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311385314.3

申请日：

2023-10-24

公开(公告)号：

CN119889389A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

许晓欣郑旭董大年杨建国易海兰孙文绚赖锦茹

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

G11C13/00

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

樊晓

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 13/00申请日:20231024

共 50 条

[1]

一种优化氧化物基的阻变存储器性能的方法 [P].

卢年端 ;

魏巍 ;

李泠 ;

刘明 .

中国专利 :CN107221599A ,2017-09-29

[2]

金属氧化物阻变存储器及制造方法 [P].

陈广龙 ;

唐立文 ;

陈昊瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103094301B ,2013-05-08

[3]

阻变存储器中钨氧化物变阻材料的制备方法 [P].

许毅胜 ;

熊涛 ;

陈广龙 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103794718A ,2014-05-14

[4]

阻变存储器的制备方法及阻变存储器 [P].

刘力锋 ;

于迪 ;

陈冰 ;

王琰 ;

傅亦晗 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

刘晓彦 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN102655211B ,2012-09-05

[5]

一种改进的氧化物薄膜阻变存储器及其改进方法 [P].

翟继卫 ;

周歧刚 .

中国专利 :CN102820428A ,2012-12-12

[6]

阻变存储器中金属氧化物层的形成方法 [P].

吴华强 ;

白越 ;

吴明昊 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103325941B ,2013-09-25

[7]

一种基于氧化物厚度优化的阻变存储器器件 [P].

刘俊龙 ;

杨菲 ;

束庆松 ;

朱厚炜 ;

谢玉洁 ;

程义香 ;

赵宣洋 ;

晏怀志 ;

吴思远 ;

朱星宇 .

中国专利 :CN120417746A ,2025-08-01

[8]

基于镍基氧化物异质结的光控阻变存储器、制备方法及应用 [P].

刘明 ;

胡忠强 ;

赵亚楠 ;

周子聪 .

中国专利 :CN118946251A ,2024-11-12

[9]

一种降低阻变存储器操作电压的方法及其阻变存储器 [P].

李颖弢 ;

李晓燕 .

中国专利 :CN109411600A ,2019-03-01

[10]

阻变存储器的制造方法及阻变存储器 [P].

杨芸 ;

仇圣棻 ;

陈亮 ;

李晓波 .

中国专利 :CN116322286B ,2025-04-25

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