一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810113817.8

申请日：

2018-02-05

公开(公告)号：

CN108461536A

公开(公告)日：

2018-08-28

发明(设计)人：

张金平赵倩罗君轶刘竞秀李泽宏张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L29423 H01L29739 H01L21331 H01L2128

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	公开	公开
2020-05-01	授权	授权
2018-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20180205

共 50 条

[1]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108321193B ,2018-07-24

[2]

一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

王康 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108231878A ,2018-06-29

[3]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

王康 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108461537B ,2018-08-28

[4]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

朱镕镕 ;

肖翔 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN113838915A ,2021-12-24

[5]

一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108321192B ,2018-07-24

[6]

一种沟槽栅电荷储存型IGBT及其制造方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107768436A ,2018-03-06

[7]

三维沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

朱镕镕 ;

陈子珣 ;

张波 .

中国专利 :CN113838919A ,2021-12-24

[8]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT [P].

张金平 ;

夏小军 ;

李长安 ;

张蒙 ;

安俊杰 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN102683403B ,2012-09-19

[9]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108321196B ,2018-07-24

[10]

一种三维分离栅沟槽电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

朱镕镕 ;

涂元元 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN113838917A ,2021-12-24

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