三维沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111116282.8

申请日：

2021-09-23

公开(公告)号：

CN113838919A

公开(公告)日：

2021-12-24

发明(设计)人：

张金平朱镕镕陈子珣张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L29739 H01L2128 H01L21331

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-24	公开	公开
2022-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210923

共 50 条

[1]

一种三维分离栅沟槽电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

朱镕镕 ;

涂元元 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN113838917A ,2021-12-24

[2]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

朱镕镕 ;

肖翔 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN113838915A ,2021-12-24

[3]

一种三维沟槽电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

朱镕镕 ;

涂元元 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN113838921A ,2021-12-24

[4]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108321193B ,2018-07-24

[5]

一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108461536A ,2018-08-28

[6]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

王康 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108461537B ,2018-08-28

[7]

一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

王康 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108231878A ,2018-06-29

[8]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108321196B ,2018-07-24

[9]

一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108321192B ,2018-07-24

[10]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法 [P].

张金平 ;

田丰境 ;

赵倩 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107731897A ,2018-02-23

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