A相二氧化钒薄膜及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810324914.1
申请日
2018-04-12
公开(公告)号
CN108515009A
公开(公告)日
2018-09-11
发明(设计)人
张小平 蒲年文 李中江
申请人
申请人地址
610000 四川省成都市经济技术开发区(龙泉驿区)车城东六路5号
IPC主分类号
B05D704
IPC分类号
B05D724 B05D302
代理机构
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371
代理人
李佳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
A相二氧化钒及其制备方法 [P]. 
张忠裕 ;
蒲年文 ;
李中江 .
中国专利 :CN108217727A ,2018-06-29
[2]
二氧化钒薄膜及其制备方法 [P]. 
黄富强 ;
丁尚军 ;
李德增 ;
赵伟 .
中国专利 :CN102383114A ,2012-03-21
[3]
金红石相二氧化钒薄膜及其制备方法 [P]. 
高彦峰 ;
周家东 ;
罗宏杰 ;
曹传祥 ;
金平实 .
中国专利 :CN104060247A ,2014-09-24
[4]
二氧化钒薄膜及其制备方法 [P]. 
武传宝 ;
王允威 .
中国专利 :CN118545917A ,2024-08-27
[5]
二氧化钒柔性薄膜及其制备方法 [P]. 
李星星 ;
尹志岗 ;
张兴旺 ;
吴金良 .
中国专利 :CN109735816A ,2019-05-10
[6]
磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法 [P]. 
曹逊 ;
金平实 ;
孙光耀 ;
李荣 .
中国专利 :CN107779831A ,2018-03-09
[7]
波纹结构二氧化钒薄膜及其制备方法 [P]. 
王锐 ;
张昱屾 ;
吴晓宏 ;
李杨 ;
仇兆忠 .
中国专利 :CN103981501B ,2014-08-13
[8]
相变型二氧化钒薄膜及其制备方法 [P]. 
周少波 .
中国专利 :CN104975262A ,2015-10-14
[9]
基于射频磁控溅射制备二氧化钒薄膜的方法及制备的二氧化钒薄膜 [P]. 
张祯 ;
刘任静 ;
乔煦容 ;
孙嘉辉 .
中国专利 :CN119287314A ,2025-01-10
[10]
一种二氧化钒薄膜及其制备方法 [P]. 
张培新 ;
任祥忠 ;
李鼎铖 .
中国专利 :CN104846445B ,2015-08-19